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匿名使用者2024-02-05在電晶體的製造中。
，有意識地使發射區大部分載流子濃度大於基區，同時基區很薄，雜質含量要嚴格控制，這樣一旦接通電源，由於發射結的正偏差。
發射區的大部分載流子（電子）和基區的大部分載流子（空穴）很容易在發射結中相互擴散，但由於前者的濃度基大於後者的濃度鹼，因此通過發射結的電流基本上是一種電子流，這種電子流稱為發射極電流n。
由於基極區較薄，集電極結的反向偏置，注入基區的電子大部分穿過集電極結，進入集電極區形成集電極電流IC，只留下少數（1-10%）電子在基區的空穴中復合，重組後的基極空穴由基極組成。
電源 EB 被重新補充，從而產生基極電流 IBO。
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匿名使用者2024-02-041. 讓我們這樣說吧。 可以理解，集水器是一根水管，水量有限，但無法控制其中的水流。 水的流動由開關（偏執電阻rc）控制。
當水流量在容積範圍內時，管道對水流沒有影響，如果水量太大，那麼管道只能排出這麼多，就會飽和...... 至於為什麼IC會繼續，那是因為集電極是用來接收電晶體中由發射器噴射出的電子的...... 電壓的存在使電子受到電壓的控制，使電子繼續從三極體集電極的方向流向電源。
也就是說，電流不斷地從電源流向集電極。 （電壓迫使電子與空穴分離）。
2. 你玩過跳棋嗎？ 如果你把珠子想象成電子，把孔想象成空穴，然後放一排珠子，留下第乙個空白空間。 將第乙個珠子放在第乙個空白空間中，第乙個珠子將空置。
比珠子多乙個空位）。然後將第二個珠子放在第乙個珠子的原始位置......重複直到最後乙個完成。 然後您將空插槽從第乙個傳送到最後乙個，這相當於從第乙個流向最後乙個的空插槽......
如果你不明白。 找乙個跳棋，自己試試......
3.因為只有在飽和時，電晶體UCE才是最小的，相當於三極體的最小分壓。 但實際上，只要UBE>=，就可以是三極體導通，但是電晶體會因為UCE的存在而分壓，如果把它看作是電阻分壓器，那麼如果UBE更大，那麼三極體電阻就更小。 可以這樣理解。
4. 你了解PN結嗎？ 如果PN連線到正向電壓，二極體將變成約1K的電阻，這是線性的。 如果小於0,7V，則二極體的電阻將無限增加。
線性電阻的乙個特點是電壓和電流線性增加。 所以如果電壓越大，電流越大，電子流就會越強，所以從這一點可以分析出來，發射電子的能力實際上隨著電壓的增加而增加。
我不明白這意味著什麼，但你要知道，一般的低頻放大是公共發射極或公共集電極。 換句話說，訊號是從基極流入的，因此UB的大小正在發生變化。 如果將工作點設定為非常小的IB，那麼當引入正弦波訊號時，正半軸可以正常放大，負半軸不會放大（截止失真）。
為了這麼多份，再加一點......
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匿名使用者2024-02-03近日，三極體也在研究之中，在共同**下有不同的意見，歡迎指出。
您的描述有問題，IC是由於發射極形成的電流擴散到基極的電子，通過漂移運動到達C極。 這個地方會漂移有兩個原因，一是集電極的加工，集電極面積大，容易穿透，二是集電極施加反向電壓。 只要有電子從發射極到基極，這個電流就會不斷流動。
IB是由電子和空穴復合形成的電流。
比如第二篇文章。
用作開關時，需要的壓降越小（具體原因可參考MOS電晶體作為開關時的RDS選擇），電晶體飽和度越深，壓降越小。 （可以達到最小值。
這與所謂的發射極正偏振片也是正偏置有很大關係，而使三極體飽和的方法是增加IB，使IC不能以固定的放大倍率跟隨變化。
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匿名使用者2024-02-02如果你這麼說，它對你沒有幫助。
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匿名使用者2024-02-011）i1 = i2 + ib；un = i2*r2 = ib*r3 + ube；i1*r1 + un = ucc；
求解 ib，則 uc = ucc - ib* *r4;
2）如果
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匿名使用者2024-01-31假設電晶體已經處於飽和狀態，那麼忽略設定發射極飽和電壓降，則ic=，如果假設三極體的放大倍數為=50，那麼基極電流只要滿足ib=，就可以使電晶體進入飽和區，那麼，我們根據電路給出的引數計算出實際的基極電流，從而知道三極體的實際工作狀態， 根據電路中列出的引數ib=（，計算表明實際基極電流已大大超過所需的飽和條件，電晶體已經處於深度飽和狀態。
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匿名使用者2024-01-30發射電壓和基極電壓是要放大的訊號電壓，觸發集電極結的導通，發射極電壓是要放大的訊號電壓。
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匿名使用者2024-01-29三極體的集電極電壓通過線路傳輸，然後通過電阻器傳輸，電阻器觸發磁通量並改變磁通量的大小，進而改變發射極電壓的大小。
以三極體的負極地為例：集電極板電位最高，次之是基極，最低的是發射極。 電晶體除了放大功能外，還可以用作開關電路和其他邏輯電路，兩個PN結的質量可以用萬用表測量，其放大倍率也可以簡單測量。
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匿名使用者2024-01-28類似於兩腔滅絕併聯極性電晶體的巨集觀色散特性：
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匿名使用者2024-01-27電晶體和MOSFET工作原理的3D動畫，直觀地了解它們的電流方向。
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匿名使用者2024-01-26電晶體由非線性PN部分組成，因此電壓和電流之間的關係不是U=IR這樣的純電阻線性關係。 首先，基極電流IB很小，按照電流定律IC=IB+IE將電晶體視為三端元件，因此IC大約等於IE。 矽管ube=，鍺管ube僅此而已。
只要在BE間隔上加乙個更大的電壓，它就會導通，而BE間是乙個pn截面，所以電壓降總是=，不管溫度等因素如何，這就是為什麼在計算ib=（vcc-ube） rb時加乙個基極電阻來限制電流，也稱為分壓。 正是由於PN段的非線性，IC=（1+）IB，與UCE的大小沒有確定的關係。 三極體內部確實存在物理電阻，但也有載流子pn部分，這就是為什麼電晶體內部的UIR不是純電阻關係的原因。
至於為什麼PN段的恆壓降，這是乙個物理現象，你把它當成乙個元件，電流會擊穿燒掉，正常電流是恆壓工作。 電阻器是另乙個元件，U=IR，呈現線性關係。
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匿名使用者2024-01-25我的理解：基極和發射極是乙個環路，發射極和集電極是輸出環路，發射極由公共電平共享。 因此，發射極中的電流是基極和集電極電流的總和，發射極電阻的壓降大約等於IC*RE，這個壓降與基極環串聯，起到弱化基極電壓的作用，這就是原來的負反饋。
基極發射極電壓伏特的原因是p-n結的正向壓降，相當於二極體的正向特性曲線。 可以直接理解二極體正嚮導通的壓降是伏特。
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匿名使用者2024-01-24當發射結（不是極點）正向偏置時，ube = 矽管），這是由於 p-n 結特性。
發射極電流是基極電流的（+1）倍，反饋電阻接在發射極與地之間，不影響發射極與基極之間的電壓，而只影響發射極與地之間的電壓，當然還有基極與地之間的電壓。您可能會將 UBE 視為 UB，前者是兩極之間的電壓，後者是從基極到地的電壓。
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匿名使用者2024-01-23這是p.n.結的死區電壓。
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匿名使用者2024-01-22本質是一樣的，但聯絡是不同的。
通常，電壓是從集電極中獲取的，但實際上，集電極電流也被放大。
發射極電流=集電極電流+基極電流，
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匿名使用者2024-01-21電晶體本身被電流放大。
根據歐姆定律，通過外部電阻器，放大的電流可以轉換為電壓。
發射區域的電流，包括基極電流和集電極電流
發射極電流=集電極電流+基極電流，
基極電流由基極電壓控制。
集電極電流，由基極電流控制：IC = Beta * IB。
然後，RC上的集電極電流形成輸出電壓。
最後，是基極電壓，控制集電極電壓，這就是電壓放大。
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匿名使用者2024-01-20你只需要知道電晶體的特性，你不想製造電晶體。