如果乙個256K位SRAM晶元有8條資料線，它有多少條位址線？

256K位SRAM晶元有8條資料線。

有 256 1024 個儲存單元。

有 8 條資料線表示可以同時連線 8 個位址單元。

注意還要求 256 1024 8 個位址表示每 8 個位址。

這是 32 1024 個不同的值。

乙個位址有多少位可以表示那麼多數字？ 也就是說，2 的多少次冪大於或等於這個數字？

所以答案是 15

注意：是的”。位“，沒有儲存單元

8條資料線，表示每個儲存單元為8位。

256k 8 = 32k 記憶體單元。

32k --2 15，所以有 15 個位址行。

儲存容量 = 2 m n，其中 m 是位址匯流排位，n 是資料匯流排位。

1k=2∧10

b=8b 1kb=2∧10×8b

標題中提到的儲存容量是 256k 位，顯然 256k 位和 256kb 位不相等）。

256k=2 8 2 10=2 18 而 256kb=2 21256k=2 18=2 m 8

m=15

256k“位”是二進位程式碼的位，計算機中最小的儲存單元是位元組，即8位，256 8是實際容量？

SRAM晶元的儲存容量為64K*16位，晶元有16條位址線和16條資料線。

儲存容量使用 2 n 計算，其中 n 表示位址行數。 2 16 = 65536，在計算機中據說其儲存容量可以擴充套件到最大64k。

儲存晶元容量=單元數資料線位數，所以64k*16位晶元的資料線為16。

SRAM在中文中是靜態隨機儲存冰雹儲存器的縮寫，是一種隨機存取儲存器。 所謂“靜態”，就是只要保持記憶體通電，儲存在其中的資料就可以持續保持。

相比之下，儲存在動態隨機存取儲存器 （DRAM） 中的資料需要定期更新。 但是，當斷電**時，SRAM儲存的資料會消失（稱為易失性儲存器），這與ROM或快閃記憶體不同，ROM或快閃記憶體可以在斷電後儲存資料。

2 的 22 次方是 4m，位寬是 8，所以是 4MB。 例如：

表示有8位資料，即有8條資料線;

1024=2 10，所以有 10 條位址線;

儲存容量為 16kb，未指定位數。 如果是 8 位，則為 14 條位址線和 8 條資料線。

ROM晶元的容量為8K 8位，此位址線為13位，資料線為8位。

該晶元有 10 條位址線和 8 條資料線。

由於 DRAM 晶元的儲存容量為 512K 8 位，因此它是最小的資料儲存單元。

是 8 位或 1 個位元組。 因此，資料線總共需要 8 位，即 8 條資料線，通常為 d（0） d（7）。

同時，可以從 2 19 524、288 512k 中知道 512k 位的記憶體，因此我們可以以 19 個位址的順序表示 DRAM 位址。

但是，DRAM的內部儲存單元大多採用線與行結構，即在時分復用中，位址線傳輸線和線訊號，因此位址線的數量應減少到10條位址線。 位址值是多餘的。

DRAN 內部儲存單元的結構如下圖所示：

如果儲存容量為512 8，則有8條資料線; 因為輪子 2 19 = 512K，所以有 19 條 ZD 位址線。 512表示可以儲存512 1024=2個19位資料，可以同時讀寫8位資料。

因為它的儲存容量是512K×8位，所以它的資料線是8條，位址線數是219=容量=（SDRAM單元總數）*（位寬。

2^24) *32 =2^29 bit。

注意：我在這裡計算的是 TQ2440 開發板。

整個 SDRAM 的總容量，而不僅僅是每個 SDRAM 的總容量。 如果僅 SDRAM 每個切片的容量 = Moxiao 2 的整個 SDRAM 的容量。

注意：這裡的計算單位是位，如果我們將其轉換為位元組，則為 2 29 位 8 = 2 26 位元組 = 2 6 MB = 64 MB。

如果儲存容量為512 8，則有8條資料線; 由於 2 19 = 512k，因此有 19 個位址行。

512表示可以儲存512 1024=2個19位資料，可以同時讀寫8位資料。

DRAM晶元是動態隨機存取儲存器，DRAM只能儲存短時間的資料，需要定期重新整理，DRAM比SRAM複雜得多，因為在DRAM的資料儲存過程中，儲存的資訊需要不斷重新整理，這是它們之間最大的區別。 凱猜很無聊。

該晶元的最小引線數為 19 根，不包括電源和接地端子。 容量為512,512是神開2的9次方，需要9條位址線，8位表示有8條資料線，晶元還需要1條晶元選擇線，1條讀寫線，共19條。

但是，在實踐中，讀寫行很少使用乙個，一般用乙個讀一寫。 在試題中，相信乙個可以用於讀寫線（理論上乙個是可能的），所以櫻花盲棗案的答案是19。 如果在實際使用中，最好使用帶有兩根線的晶元（帶有讀/寫線的晶元不常見），這樣效率和穩定性會更好。

除了電源和接地端子外，晶元引腳的最小數量為20個，主要是10個位址線加上8條資料線加上2個讀寫線，所以12+8+2=20，所以晶元引腳的最小數量是20個。

位址線用於傳輸位址資訊。 舉個簡單的例子，當CPU在記憶體或硬碟中尋找一段資料時，它首先通過位址線找到位址，然後通過資料線檢索資料。

1024*8 位 = 2 10b = 1k，因此需要 10 條位址線。

資料線用於傳輸資料。 因為晶元是8位，所以需要8條資料線。 除了正常的位址線和資料線外，還需要讀寫線，所以除了電源和接地端子外，還需要20根線，所以最小引腳數為20個。

SRAM晶元引腳包括：

1.電源，接地。

2. 位址行。

3.資料線。

4.控制線。

除了電源和接地線之外，因為是1024*8位，也就是容量是1024位元組（位元組），所以總共有10條位址線（2 10=1024），從1028*8的容量可以看出，它是8位資料匯流排的SRAM，所以它的資料線有8條， 而控制線是固定的，與容量無關，控制線有WE（寫控制線）、RE（讀控制線）、CS（選片線）共3條。所以最小引腳數是 10 + 8 + 3 = 21，你的答案是 20 誰計算的，老師？ 你不想要CS（切片選擇線）這個嗎？

無論如何，我見過的最少的SRAM控制線是3條。

大多數RAM IC由讀/寫控制線控制和操作，少數RAM IC分別由兩個輸入控制，用於讀寫！

大多數RAM積體電路都使用讀/寫控制線。

該晶元有 10 條位址線和 8 條資料線。

由於DRAM晶元的儲存容量為512K 8位，因此資料儲存的最小單位是8位，即1個位元組，因此其資料線總共需要8位資料線，即8條資料線，通常為d（0）d（7位）。

同時可以看出，儲存器的字大小為512K，即2 19=524和288=512K，因此DRAM的位址可以用19個位址序列表示。

但是，DRAM內部儲存單元大多採用行列結構，即位址線多路復用以傳輸行和列訊號，因此位址線的數量應減少到10條位址線。 在這種情況下，位址的值存在冗餘。

DRAN 內部儲存單元的結構如下：

記憶體的位址行與記憶體的容量有關，類似於10000人有**，**數字至少有5位數字，但不同的是計算機內部使用二進位而不是十進位。 記憶體的容量是多少，用多少個二進位數來表示，那麼位址行數就是多少個，比如容量是4位，用兩個二進位數表示，那麼位址行是2,8位，用三個二進位數表示，位址行應該是3，所以往下推， 內容容量可以用多少個二進位數來表示，這相當於1個二進位數的2乘以多少，那麼位址行數是多少。512k 應該是指 512kb，相當於 4MB（按 1 到 8 換算），需要用 22 位二進位數表示，相當於 2 乘以 22 倍，所以用了 22 條位址線。

資料線是指一次傳輸的資料的寬度，8位的寬度應為8條資料線。

由於其儲存容量為512k*8位，其資料線為8條，位址線數為19條。 因為 2 19 = 512k。