如何識別半導體器件（如電晶體）中的不同物質？

半導體器件中的紅外活化物質會發出特徵性的近場光譜訊號。 這些訊號允許識別不同的物質。 捕獲這些訊號需要散射掃瞄近場光學顯微鏡。

市場上唯一解像度為10 nm的散射掃瞄近場光學顯微鏡（S-SNOM）是在德國生產的。

2010年，在NanoTech上發表了題為“Infrared Spectroscopic Near-Field Mapping of Single Nanotransistors”的文章。

散射掃瞄近場光學顯微鏡除了對物質的鑑定外，還可用於研究化學成分、晶體結構、機械張力、輻射損傷、載流子濃度、遷移率、電場分布等，應用包括極性晶體、半導體奈米器件、超材料和奈米天線、奈米線和奈米顆粒、聚合物和蛋白質。

由元件組成的積體電路。 縮寫為MOSIC。 1964年，開發了絕緣柵極FET。

直到1968年，MOS器件的穩定性才得到解決，MOSIC才迅速發展起來。 與雙極積體電路相比，MOSIC具有以下優點：製造結構簡單，隔離方便。

電路尺寸小，功耗低，適用於高密度整合。 MOS管是一種雙向器件，具有很高的設計靈活性。 具有獨特的動態工作能力。

良好的溫度特性。 缺點是速度較低，驅動能力較弱。 一般認為，MOS積體電路功耗低，整合度高，應作為數字積體電路使用。 雙極積體電路適用於高速數字和模擬電路。

根據電晶體的溝道導通型別，可分為P槽MOSIC、N槽MOSIC和將P槽和N槽MOS電晶體組合成乙個電路單元的互補MOSIC，分別稱為PMOS、NMOS和CMOS積體電路。 隨著工藝技術的發展，CMOS積體電路已成為積體電路的主流，工藝也越來越完善和複雜，從P孔或N孔CMOS到雙孔CMOS工藝。 上世紀80年代，出現了兼具雙極性電路和互補金屬氧化物半導體（CMOS）電路優勢的BiCMOS積體電路架構。

按柵極材料可分為鉛柵極、矽柵極、矽化物柵極和難熔金屬（如鉬、鎢）柵極等MOSIC等，柵極尺寸已從微公尺進入亞微公尺（micron）和強亞微公尺（micron以下）順序。 此外，還開發了具有不同MOS IC結構的MOSIC技術：例如，浮柵雪崩注入MOS（FAMOS）結構用於可重寫只讀儲存器; 擴散自對準MOS（DMOS）結構和V槽MOS結構可滿足高速高壓要求。

近年來，以藍寶石為絕緣基板的CMOS結構被開發出來，具有耐輻射、低功耗、高速等優點。 MOSIC廣泛應用於計算機、通訊、機電儀器、家電自動化、航空航天等領域，可使整機體積小、工作快、功能複雜、可靠性高、功耗低、成本低。

半導體器件通常，這些半導體材料是矽、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振盪器、燈具、放大器、照度計和其他器件。 為了將其與積體電路區分開來，它有時被稱為分立器件。 大多數雙端器件（即晶體二極體）的基本結構是p-n結。

利用不同的半導體材料、不同的工藝和幾何形狀，開發了各種具有不同功能和用途的晶體二極體，可用於產生、控制、接收、轉換、放大訊號和轉換能量。 晶體二極體可以覆蓋低頻、高頻、微波、公釐波、紅外線和光波等頻率。 三端器件一般是有源器件，典型的代表是各種電晶體（又稱電晶體）。

電晶體可分為兩種型別：雙極電晶體和場效應電晶體。 根據應用的不同，電晶體可分為功率電晶體、微波電晶體和低雜訊電晶體。 除了用於放大、振盪、開關的一般電晶體外，還有一些專用電晶體，如光電晶體、磁敏電晶體、場效應感測器等。

這些器件不僅可以將某些環境因素的資訊轉換為電訊號，而且還具有一般電晶體的放大作用，以獲得更大的輸出訊號。 此外，還有一些特殊的器件，如單結電晶體可用於產生鋸齒波，閘流體可用於各種大電流控制電路，電荷耦合器件可用作橡膠器件或資訊儲存器件。 在通訊、雷達等軍用裝置中，微弱訊號主要由高靈敏度、低雜訊的半導體接收器件接收。

隨著微波通訊技術的飛速發展，微波半導低雜訊器件發展迅速，工作頻率不斷提高，而雜訊係數卻在不斷下降。 微波半導體器件因其效能優異、體積小、重量輕、功耗低等特點，已廣泛應用於防空與反導、電子戰、C（U3）I等系統。

電晶體和二極體（二極體）不是一回事。

1.電晶體和二極體（二極體）的定義不同。

電晶體是一種固態半導體器件，包括二極體、電晶體、場效應電晶體、閘流體等，有時特稱為雙極器件。

二極體是一種電子元件，是一種具有兩個電極的器件，只允許乙個方向的電流流過它，許多電極用於應用其整流功能。 變容二極體（VAFIC二極體）用作電子可調諧電容器。

2.電晶體和二極體（二極體）具有不同的功能。

電晶體具有檢測、放大、開關、調壓、訊號調製等多種功能。 電晶體是一種可變電流開關，它根據輸入電壓控制輸出電流。

與普通的機械開關不同，電晶體使用電信來控制自己的開閉，開關速度可以非常快，在實驗室中可達 100 GHz。

二極體的電流方向性通常稱為“整流”功能。 二極體最常見的功能是只允許電流通過單個方向（稱為正向偏置），並在反向方向上阻斷它（稱為反向偏置）。 因此，二極體可以被認為是止回閥的電子版本。

3.電晶體和二極體（二極體）的種類不同。

電晶體可分為多種型別，如低雜訊放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高背壓電晶體、電阻電晶體、阻尼電晶體、微波電晶體、光電電晶體和磁性電晶體。

二極體的種類很多，根據使用的半導體材料可分為鍺二極體（GE管）和矽二極體（Si管）。 按其用途不同可分為檢測二極體、整流二極體、穩壓二極體、開關二極體、隔離二極體、肖特基二極體、發光二極體、矽功率開關二極體、旋轉二極體等。

按晶元結構可分為點接觸二極體、表面接觸二極體和平面二極體。 點接觸二極體用一根非常細的金屬線壓在光滑的半導體晶圓表面，通過脈衝電流，使接觸線的一端和晶圓牢固地燒結在一起，形成“p-n結”。

平面二極體是一種特殊的矽二極體，不僅能通過大電流，而且效能穩定可靠，多用於開關、脈衝和高頻電路。

半導體材料可用於製造二極體、電晶體、MOSFET和其他器件。

在許多書籍中，人們將半導體電晶體稱為“電晶體”，（例如：電晶體放大電路，即電晶體放大電路）一般沒有人這樣縮寫二極體。

因此，按照一般的理解，電晶體是指電晶體，當然它與二極體不是一回事。

二極體是電晶體的一種，它們不是一回事，它們屬於關係。

在積體電路領域，特徵尺寸是指半導體器件中的最小尺寸。 在CMOS工藝中，特徵尺寸通常由“門”的寬度表示，即MOS器件的通道長度。 一般來說，特徵尺寸越小，晶元的整合度越高，效能越好，功耗越低。

雖然減小特徵尺寸（通道長度）有明顯的好處，但也存在一系列負面影響，統稱為“短通道效應”。 例如，MOSFET強調對柵極電壓的控制，但是當溝道短路到一定程度時，源極和漏極之間就會有漏電流，即使去掉柵極電壓，MOS也可能被關斷。

半導體器件的特徵尺寸原指物體的物理特徵、一般輪廓，現代計算機知識延伸到整合程度和特徵尺寸。 特徵尺寸通常是指積體電路中半導體器件的最小尺寸，例如MOS電晶體的柵極長度。 特徵尺寸是衡量積體電路製造和設計水平的重要指標，特徵尺寸越小，晶元的整合度越高。

MOS工藝是指工藝中最小的通道尺寸或最小的柵極寬度; 雙極性是指發射極條的最小寬度。 這些資料的真實感受在設計或生產上還是需要更加直觀的，理論上的答案看起來有點抽象，只知道尺寸越來越小，這樣裝置尺寸才能更小。

首先，從字面上看，電晶體：乙個三針管。 triode（電子三極體）是漢語中“triode”一詞的唯一英文翻譯。 所以電晶體包括BJT。

事實上，我們通常認為電晶體是BJT（雙極電晶體）。 所以BJT等於電晶體。

樓上是對的，乙個電流控制，乙個電壓控制。

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由矽、鍺等半導體材料製成的半導體器件稱為電晶體。

電晶體是（可控的）半導體器件b電流控制。

問題的答案是B，電路中的電晶體是按基極電壓方向的負載連線和斷開的，電流放大效應與基極電流直接相關。