應該如何設定記憶體時序？如何調整記憶體時序？

6個回答

匿名使用者2024-02-15

通常儲存在記憶體模組的 SPD 上的引數。 2-2-2-8

這4個數字的含義是：cas

延遲（簡稱CL值）記憶體CAS延遲時間，這是記憶體的重要引數之一，有些品牌的記憶體會在記憶體模組的標籤上列印CL值。 ras－to－cas

延遲（TRCD），記憶體行位址到列位址傳輸的延遲。 row－precharge

延遲（TRP），儲存線位址的頻閃脈衝預充電時間。 row－active

delay（tras），記憶體行位址的門控延遲。以上就是遊戲玩家最關心的4個時序調整，可以在大多數主機板的BIOS中設定，記憶體模組廠商也計畫推出低於JEDEC認證標準的低延遲超頻記憶體模組，在相同的頻率設定下，“2-2-2-5”序列序列最低的記憶體模組確實可以帶來比“3-4-4-8”更高的記憶體效能，振幅為 3 至 5 個百分點。

先把記憶體調整到DDR400，同步，然後慢慢加外頻，找到CPU的極限，找到後，看看能不能上DDR533，一般DDR667能穩定在DDR720，我的就可以了。

我的 am23000+，abit

kn9，adata512m

記憶體設定為DDR533，實際工作頻率為DDR720。計時 15-5-5-51T
匿名使用者2024-02-14

答案：11不要在十六七歲的時候談戀愛，因為那個人將是你一生中最難忘記的人。
匿名使用者2024-02-13

調整記憶體時序的步驟如下：

在BIOS中開啟手動設定。

在BIOS設定中找到缺少的數字，然後轉到“DRAM時序可選”。

BIOS 設定中可能出現的其他描述包括自動配置、自動、定時可選、SPD 定時配置等，這些描述可以設定為“Menal”（根據 BIOS，可能的選項是：ON Off 或 Enable Disable）。

記憶體是逐行和逐列定址的，當觸發請求時，它最初是 tras。

只有在預充電之後，記憶體才真正開始初始化 RAS。啟用 TRAS 後，RAS（行位址選通）開始定址需要資料。首先是行位址，然後初始化 TRCD，迴圈結束，然後通過 CAS 訪問所需資料的確切十六進製位址。

從CAS開始到CAS結束的時間段是CAS延遲。所以Cas是查詢資料的最後一步，也是剩餘儲存引數中最重要的。

記憶體時序是乙個引數，通常儲存在記憶體模組的 SPD 上。 2-2-2-8 四個數字的含義是：CAS延遲（縮寫為cl值）記憶體CAS延遲時間，這是記憶體的重要引數之一，有些品牌的記憶體會在記憶體模組的標籤上列印CL值。

RAS 到 CAS 延遲（TRCD），將記憶體行位址傳輸到列位址的延遲。
匿名使用者2024-02-12

記憶體時序可以拒絕。 如果出現藍屏宕機，您可以轉到 BIOS 並向下微調以將記憶體延遲設定為較低的級別。簡單來說，就是從主機板BIOS調整，找到記憶體設定，把引數調低到記憶體頻率。

它與時序是相互制約的，頻率越高，時序越高，延遲越高，否則會失敗，很容易找到記憶體時序，然後依次改變。調整記憶體模組。

時序是衡量記憶體模組質量的試金石，一般不會縮短記憶體模組的壽命。

記憶體的最佳時機

高頻高時序好，同頻低時序好，1600和1866必須選擇第二種，既穩定又強大，高頻和低時序要小心掛起，其實在容量大的時代，所謂定時，就是重新整理記憶體的缺口，因為記憶體是一種易失性儲存裝置，這需要不同的儲存單元來充電和保留資料。

一般，不加壓，時序高，時序對效能影響不大，1866拿不到，硬會犧牲，時序911927還不錯，能達到24就好了，效能比DDR42133強，一般數，a-b-c-d，對應引數：cl-trcd-trp-tras。
匿名使用者2024-02-11

記憶體時序是指記憶體讀寫的時延，包括 CAS LATENCY（CL）、RAS TO CAS DELAY （TRCD）、RAS PRECHARGE TIME（TRP）等引數。這些引數可以通過調整記憶體時序來優化記憶體效能。

以下是有關如何調整記憶體計時的步驟：

1.輸入BIOS設定：根據主機板和計算機型號的不同，輸入BIOS設定的方法可能有所不同。

通常，您需要在 Electrolimb 開啟時按下特定按鈕，例如 F2、F12 或 Delete。在BIOS設定中，找到“高階”或“記憶體”選項，然後轉到“記憶體定時調整”選項。

2.調整 cas 延遲（CL）：CL 是記憶體讀寫的延遲時間，表示從發出讀取命令到第一次讀取資料的時間。

您可以通過調整 CL 值來優化記憶體效能。通常，較低的 CL 值會帶來更高的效能，但也會增加延遲。因此，您需要根據自己的具體情況進行調整。

在BIOS設定中，找到CL值調整選項，並根據需要進行調整。

3.調整 TRCD（RAS 到 CAS 延遲）：TRCD 表示從 RAS（行位址選擇）訊號到 CAS（列位址選擇）訊號的時間。

此時間的長度會影響記憶體的讀寫速度。您可以通過調整 TRCD 值來優化記憶體效能。在BIOS設定中，找到TRCD值調整選項，並根據需要進行調整。

4.調整 TRP（RAS 預充電時間）：TRP 表示 RAS 訊號預充電所需的時間。

在讀取或寫入儲存器之前，需要執行預充電操作以清除先前的充電。您可以通過調整 TRP 值來優化記憶體效能。在BIOS設定中，找到TRP值調整選項，並根據需要進行調整。

請務必注意，不同的記憶體型別和不同的 PC 配置可能需要不同的最佳記憶體時序優化值。因此，您需要適應自己的具體情況，並在測試中對其進行適當的優化。
匿名使用者2024-02-10

1.確認判斷儲存器支援的開盤時間。

3.備份 BIOS 設定。

3.備份 BIOS 設定。

記憶體時序是記憶體工作的節拍，也是影響記憶體讀寫資料速度和穩定性的重要因素。儲存時序包括定時、頻率、定時、定時、電壓等。

記憶體計時可以提高系統的整體效能，但需要謹慎行事。在進行記憶體時序調整之前，您需要確認記憶體支援的時序範圍，遵循安全原則，並備份原始的BIOS設定。

1.BIOS 設定。