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單結型電晶體不是一種電晶體。 單結電晶體是一種具有雙基極的二極體。
單結電晶體(UJT),又稱基極二極體,是一種只有乙個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件,其基板為條狀高電阻N型矽片,兩端通過歐姆接觸拉出兩個基極B1和B2。
與發射極和n型矽棒相連的p區形成相當於二極體d的pn結; N型矽棒由於摻雜濃度非常低,電阻很高,二極體陰極與基極B2之間的等效電阻為Rb2,二極體陰極與基極B1之間的等效電阻為Rb1。 RB1的電阻由E-B1之間的電壓控制,因此相當於乙個可變電阻。
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它不能稱為電晶體。 單結電晶體(UJT),又稱雙基二極體,是一種只有乙個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件,其基板為條狀高電阻N型矽片,兩端通過歐姆接觸拉出兩個基極B1和B2。 在中間矽片的B2側,採用合金法製作P區作為發射極E。
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是的,UJT,因為輸出特性具有負電阻特性,所以它們經常用於簡單的振盪電路中。
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功能。 單結電晶體具有較大的脈衝電流能力和簡單的電路,因此它們廣泛用於各種開關應用,例如構建定時電路和觸發可控矽。 其開關特性具有高度的溫度穩定性,並且基極本質上不會隨溫度而變化。
由單個結型電晶體組成的振盪電路。 所謂振盪,是指在沒有輸入訊號的情況下,電路輸出一定頻率和幅度的電壓或電流訊號。 合閘通電時,電容C上的電壓為零,管子被切斷,電源VBB通過電阻R向C充電,電容上的電壓UC隨時間逐漸增大; 一旦UEB1增加到峰值電壓,電子管就進入負電阻區域,並在輸入端達到等效電阻。
急劇下降,使C通過管的輸入迴路迅速放電,IE迅速下降,當UEB1降低到谷值時,電壓UV被切斷; 電容器再次開始充電。 上述過程來回迴圈,只有在斷電時才停止,從而產生振盪。
單結電晶體(UJT)也稱為基極手二極體。
它是一種只有乙個 PN 的結。
半導體器件的兩個電阻接觸電極,其基板為條狀高電阻N型矽片,兩端為帶歐姆接觸的銀。
引出兩個鹼基 B1 和 B2。
早期,只有乙個PN結作為發射極和兩個基極的三端半導體器件被稱為雙基二極體。 其典型結構是具有均勻的光摻雜和高電阻率。
以n型單晶半導體為基區,兩端做成兩個具有歐姆接觸的鹼基,在基區中心或其中一極的位置採用淺擴散法制成p-n結。 當在基極 B1 和 B2 之間施加電壓時,電流從 B2 流向 B1,並在結的基極區域對 B1 的電位形成反向偏置。
如果將訊號施加到發射器上,並且訊號超過初級抗偏置電位,則該器件是導電的。 一旦出現正偏置狀態,在基極區注入大量空穴,使發射極與B1之間的電阻減小,電流增大,電位減小,保持導通狀態,改變兩個基極之間的偏置或改變發射極訊號,使器件恢復到原來的狀態。 因此,該器件具有典型的負電阻特性,特別適用於定時電路、控制電路和讀出電路的開關系統中的鬆弛振盪器。
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你好! 電晶體,不一定是三極體,還有二極體、四極管等。
電晶體是一大類半導體,可以廣義地定義為所有半導體分立元件,包括二極體、電晶體、場效應電晶體、閘流體和各種聞所未聞的元件。
三極體是最典型的電晶體型別。
積體電路不一定由電晶體組成,如邏輯電路中的CD4011、CD4069等,它們是由另乙個經典的電晶體——場效應電晶體組成的。 所以你可以說乙個積體電路整合了幾個電晶體,但你不能說它整合了幾個電晶體,也許它裡面真的沒有三極體。 希望。
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不。 嚴格來說,電晶體一般是指所有基於半導體材料的單一元器件,包括由各種半導體材料製成的二極體(兩端子)、電晶體、場效應電晶體、閘流體(後三端為三端子)。
電晶體有時是指電晶體。 然而,這並不意味著電晶體一定是三極體。
希望。
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電晶體的三個極點是發射極、基極和集電極。
由於電晶體具有三極性,因此它們也可以以三種方式使用,即發射極接地、基極接地和集電極接地。
電晶體有三個極點; 雙極電晶體的三個極點由n型和p型發射極、基極和集電極組成。 場效應電晶體的三個極點是源極、柵極和漏極。
電晶體一般是指所有基於半導體材料的單個元件,包括由各種半導體材料製成的二極體、電晶體、場效應電晶體、閘流體等。 電晶體褲子有時是多指電晶體。
電晶體是一種固態半導體器件,具有檢測、整流、放大、開關、電壓調節、訊號調製等多種功能。 電晶體是一種可變電流開關,它根據輸入電壓控制輸出電流。 與普通的機械開關不同,電晶體利用電信來控制自己的開合,開關速度可以非常快,在實驗室中的開關速度可以達到100GHz以上。