記憶體 DDR 和 SD 有什麼區別？

DDR 記憶體是英文中的雙日期速率 sdram"雙倍速率 SDRAM"，可在133MHz的前端匯流排頻率下達到。 它的工作原理是它可以在控制時鐘的觸發邊緣的上邊緣和下邊緣傳輸資料（而SDRAM只在控制時鐘的下邊緣傳輸資料），因此DDR SDRAM可以在控制訊號期間交換兩次資料，這比以前的SD儲存器快得多。

在DDR記憶體中，由於時鐘頻率的差異，有三個區別：DDR266、DDR333和DDR400，一般來說，時鐘頻率越高，記憶體速度越快，其**差異不會太大，所以只要主機板支援更高的記憶體頻率，就應該購買更高速度的記憶體。 在使用中，由於對軟體記憶體的要求越來越高，記憶體的最小容量應該在256M以上，對於使用電腦玩大遊戲和資料庫計算以及平面立體設計的使用者來說，更需要選擇記憶體容量為512M甚至更高的電腦。

SDRAM是“同步動態隨機存取儲存器”的縮寫，意思是“同步動態隨機存取儲存器”，也就是我們通常所說的“同步儲存器”，這種儲存器採用168線結構，儲存器及其插槽原理圖如下：

從理論上講，SDRAM 與 CPU 頻率同步，共享乙個時鐘週期。 SDRAM 由兩個交錯儲存陣列組成，當 CPU 從乙個儲存陣列訪問資料時，另乙個儲存陣列即可讀取和寫入資料，讀取效率乘以兩個儲存陣列的緊密切換。 目前，最新的 SDRAM 的儲存速度高達 5 納秒。

ddr sdram

DDR是SDRAM之後產生的一種儲存技術，DDR在英文中原意為“doubledatarate”，顧名思義，是一種雙資料傳輸方式。 之所以叫“雙”，就是說有“單”，我們日常使用的SDRAM是“單資料傳輸模式”，這種儲存器的特點是在乙個記憶體時鐘週期內對乙個方波的上公升沿進行一次操作（讀或寫），而DDR指的是一種新的設計，在乙個記憶體時鐘週期內，在方波的上公升沿執行一次， 並且還在方波的下降沿上做乙個操作。DDR可以完成只有兩個週期的SDRAM才能完成的任務，所以理論上，DDR內存在相同速率下的效能是SDR記憶體的兩倍以上，可以簡單地理解為100MHz DDR=200MHz SDR。

DDR記憶體採用184線結構，DDR記憶體不向後相容SDRAM，需要為DDR設計的主機板和系統

乙個是 PIIII master，乙個是 PIIII。

乙個有兩個卡槽，另乙個只有乙個。

我不知道到底是哪乙個。

雖然 DDR 比 SDRAM 快，但它的速度是 SDRAM 的兩倍，因此延遲效能比 SDRAM 差，但總的來說 DDR 效能更好。

DDR 和 SDR 內存在台式計算機上是什麼意思，如何區分？ 每種方法的優點是什麼？

DDR 和 SDR 內存在台式計算機上是什麼意思，如何區分？ 每種方法的優點是什麼？ 您好，親愛的，SDRAM 和 DDR 之間的具體區別如下：

1、傳輸速率存在差異：傳統的SDRAM只能傳輸訊號上公升沿的資料，而DDR只能傳輸訊號上公升沿和下降沿的資料，因此，DDR儲存器在每個時鐘週期的資料傳輸量是SDRAM的兩倍，這也是DDR雙資料速率和雙資料速率的含義。 2.外觀槽位有差異

DDR 在形狀和尺寸上與 SDRAM 不同，它們具有相似的尺寸和間距，標準 DDR 記憶體模組是 184 針 DIMM（雙面 DIMM）。 DDR 與標準的 168 針 SDRAM 非常相似，最大的區別是 DDR 只使用乙個插槽，而 SDRAM 使用兩個插槽。 3.設計有差異

與SDRAM相比，DDR採用了更先進的同步電路，這使得傳送和傳出指定位址和資料的主要步驟不僅獨立，而且與CPU完全同步。 DDR 使用延遲鎖定迴圈環技術，記憶體控制器可以使用該技術對資料進行過濾，以在資料處於活動狀態時精確定位資料，每 16 次輸出一次，並重新同步來自不同記憶體模組的資料。 希望我能幫到你！

如果我的回答對你有幫助，請豎起大拇指（左下角評論），期待你的點讚，你的努力對我來說很重要，你的支援也是我進步的動力，最後祝你身體健康，心情愉快！

記憶體也可以稱為主記憶體。 它是由CPU直接定址的儲存空間，由半導體器件製成。 記憶體的特點是訪問資料的速度快。

記憶體是計算機中的主要元件，它是相對於外部儲存器而言的。 我們平時用到的程式，比如Windows作業系統、打字軟體、遊戲軟體等，一般都安裝在硬碟等外接儲存器上，但只有這樣才能使用它的功能，必須要轉移到記憶體中才能執行，要想真正使用它的功能，我們通常輸入一段文字， 或者玩遊戲，其實都是在記憶中進行的。這就好比在書房裡，存放書籍的書架和書櫃相當於電腦的外部儲存器，而我們工作的桌子就是儲存器。

通常我們會將大量資料永久儲存在外部儲存器中，並將一些臨時或少量的資料和程式放入記憶體中，當然，記憶體的質量會直接影響計算機的執行速度。

與SDRAM相比：DDR採用更先進的同步電路，使指定位址、資料傳輸和輸出等主要步驟可以獨立執行，CPU完全同步。 DDR 使用 DLL（延遲鎖環）技術，記憶體控制器使用該技術在資料處於活動狀態時精確定位資料，每 16 次輸出一次，並重新同步來自不同記憶體模組的資料。 DDR基本上不需要增加時鐘頻率來使SDRAM的速度提高一倍，並且它允許在時鐘脈衝的上公升沿和下降沿讀取資料，因此速度是標準SDRAM的兩倍。

在外形尺寸方面，DDR與SDRAM沒有太大區別，它們具有相同的尺寸和相同的引腳距離。 但是，DDR 是 184 個引腳，比 SDRAM 多 16 個，主要包含新的控制、時鐘、電源和接地訊號。 DDR 儲存器使用支援電壓的 SSTL2 標準，而不是 SDRAM 使用的電壓的 LVTTL 標準。