如何判斷MOSFET是好是壞？

MOSFET的。 判斷電晶體質量的方法是一樣的。

完全不同，以N溝道MOSFET為例，其完成方法如下：

1.萬用表。

二極體齒輪;

2.紅筆接D極，黑筆接S極，應不可通行; 反向量與應有的壓降有關;

3.紅筆接G極，黑筆接S極，也應該通行不通，但是這一步很重要，G極已經充電了，此時管子已經開啟;

4.紅筆再次接D極，黑筆接S極，此時應該有零點幾伏的壓降，說明管子已經開啟;

5.筆保持不動，用手指觸控管子的三個極點，在 g 和 s 之間放電，然後關閉管子。 D、S 未再次連線。

如果上述所有過程都正確，那麼您可以確定管子是好的。

如果是P溝道MOSFET，可以更換萬用表的紅黑筆。

判斷電晶體的方法是一樣的。

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大家好，參考一下FET的檢測方法：把數字萬用表打到二極體檔，用兩支儀表筆隨意觸控FET的三個引腳，乙個好的FET在測量時應該只有一次讀數，數值在300-800左右，2、如果最終測量結果中只有乙個讀數， 當為0時，萬用表必須與FET的引腳短接，3。重新測量一次，如果測量一組讀數在300-800左右，則該管也是好管。4.將萬用表調到二極體檔，用萬用表的兩公尺測量D、S極和G、S極，看兩極之間的讀數是否很小，如果這個值低於50，則可以判斷效果管已經擊穿了場效應電晶體， 又稱場效應電晶體，是利用控制輸入環路的電場效應來控制輸出環路電流的半導體器件。

它由大多數載流子傳導，也稱為單極電晶體[1]，是一種電壓控制的半導體器件。 主要有兩種型別（結型FET-JFET）和金屬氧化物半導體FET（MOS-FET）。 FET具有輸入電阻高（10 7 10 15）、低雜訊、低功耗、動態範圍大、易整合、無二次擊穿、安全工作區寬等優點，已成為雙極電晶體和功率電晶體的有力競爭者。

與雙極電晶體相比，MOSFET具有以下特點。 （1）MOSFET是一種電壓控制裝置，通過V GS（柵源電壓）控制I D（漏極電流）; （2）FET控制輸入端的電流很小，因此其輸入電阻（10 7 10 12）非常大。 （3）它使用大多數載流子導電，因此其溫度穩定性好; （4）由它組成的放大電路的電壓放大係數小於由三極體組成的放大電路的電壓放大係數; （5）FET具有很強的抗輻射性; （6）由於它沒有混沌運動中電子擴散引起的散射雜訊，雜訊較低。

MOSFET的工作原理是“漏極和源極之間流動的溝道的ID，柵極和溝道之間的PN結形成的反向偏置的柵極電壓控制ID”。 更準確地說，ID流經的路徑的寬度，即通道的橫截面積，由PN結的反向偏置變化控制，導致耗盡層傳播變化。 在vgs=0的非飽和區，過渡層的膨脹不是很大，根據VDS施加在漏極和源極之間的電場，源極區的一些電子被漏極拉走，即有乙個電流ID從漏極流向源極。

從柵極到漏極的過多層作為堵塞型別形成通道的一部分，並且 ID 已飽和。 這種狀態稱為捏合。 這意味著過渡層將成為通道的一部分。

用萬用表電壓表測量FET的源極和柵極之間的電壓，當FET正常時，源極和柵極之間的電壓應在規定範圍內，否則損壞FET。 2.動態電流測試方法：

當FET正常時，其柵極和源極之間的電壓導致電流通過管子，電流值應在規定範圍內，當管子損壞時，柵極和源極之間的電壓不能產生足夠的電流。 3.電容測試方法：

MOSFET的電容可以用萬用表的電容水平來測試，當漏電容異常大甚至無限大時，說明控制電壓對變化不敏感，是FET失效的典型表現。 FET是一種半導體元件，其特性與普通二極體、電晶體等器件略有不同，因此在測試時需要熟悉其基本特性和測試方法。 此外，還需要使用專業的MOSFET測試儀器來正確判斷其效能和正確性。

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總結。 FET的質量可以通過多種測試方法來確定。 以下是其中的一些：

1.驗證是否有開關：將萬用表對準萬用表，將測試電極放在源極和漏極上，通電時試棒應顯示零電阻。

如果測試棒顯示不同的數字，則表示 FET 無法開啟。 2.驗證電阻：

將測試電極連線在源極和漏極之間，並將測試棒連線到電網。 如果測試台顯示無限電阻，則 FET 擊穿或損壞，需要更換。 3.

驗證柵極閾值：以電壓梯度向柵極施加電壓，並記錄柵極電壓。 當 FET 飽和時，記錄源極和漏極之間的電壓，並計算飽和時的電流。

柵極電壓應落在規定範圍內。 如果電壓超出範圍，FET 將無法正常工作。

FET的質量可以通過多種測試方法確定。 以下是其中的一些：1

驗證是否有開關：將萬用表對準萬用表，將測試電極放在源極和漏極上，通電時試棒應顯示零電阻。 如果測試棒顯示不同的數字，則表示 FET 無法開啟。

2.驗證電阻：將測試電極連線到源極和漏極之間，並將測試棒連線到電網。

如果測試儀表顯示無限電阻，則 FET 會擊穿或損壞，需要更換。 3.驗證門閾值：

以電壓梯度方式向柵極施加電壓，並記錄柵極電壓。 當 FET 飽和時，記錄源極和漏極之間的電壓，並計算飽和時的電流。 柵極電壓應落在規定範圍內。

如果電壓超出範圍，FET 將無法正常工作。

FET具有高入口阻抗，因此在電路中被廣泛使用。 測量 FET 時，需要特別注意避免靜電放電，這可能會損壞 FET。 測試FET時，一定要使用正確的測試電源和測量裝置，以確保測試結果的準確性。

此外，需要特別注意避免在高溫下操作 FET，這通常會對 FET 造成損壞。 如果需要更換 FET，應注意選擇正確的型號。 <>

MOSFET質量的測量方法如下：

就是用萬用表測量MOSFET的源極與漏極、柵極面板與源極、柵極與漏極、柵極G1和柵極G2之間的電阻值是否與FET手冊中標明的電阻值一致，以判斷管子的質量。

具體方法：首先，將萬用表置於R 10或R 100檔位，測量源極S和漏極D之間的電阻，通常在幾十歐姆到幾千歐姆的範圍內（在說明書中可以看出，各類管子的電阻值不同），如果測得的電阻值大於正常值， 可能是由於內部接觸不良;如果測得的電阻為無窮大，則可能是內部斷極。

然後把萬用表放在R 10K檔中，然後測量柵極G1和G2之間、柵極和源極之間、柵極和漏極之間的電阻值。 如果上述電阻值測量值太小或是通路，則說明管子壞了。 需要注意的是，如果管子中有兩個柵極斷裂，則可以使用組分替代法進行檢測。

根據MOSFET的PN結的正反阻值不同，可以區分結MOSFET的三個電極。 具體方法：撥R 1k檔上的萬用表，選擇兩個電極，分別測量其正向和反向電阻值。

當兩個電極的正電阻值和反向電阻值相等且為幾千歐時，則兩個電極分別為漏極 d 和源極 s。