霍爾效應分析 IM達到一定值後，UH IM曲線偏斜30

這個問題值得我們**，我把它發到你的郵箱。

霍爾元件輸出的霍爾電位與激勵電流和磁感應強度的垂直分量成正比。

然而，這僅意味著理想情況下，在實踐中，任何元件的線性區域中總會有乙個範圍，超出該範圍，其特性將變化到超過該範圍，甚至輸出將不再隨輸入而變化。

換句話說，線性關係只存在於固定的區間內。

im-vh直線斜率的變化表明它已經偏離了線性區間！

第乙個用於測量霍爾係數。 我不知道你的確切測試引數是什麼，但我的判斷是這樣。

另乙個與勵磁電流的關係當然是用來測量磁場值的，但是如果一開始就沒有霍爾係數，就無法從霍爾電壓中得到磁場值，所以我判斷第乙個的目的是得到霍爾係數。

首先，你必須明白 b = uh 和 h 是磁場的強度。

距離是恆定的，h 和 i 是成比例的;

u非磁性材料幾乎沒有變化; 對於磁性材料，u不再是常數，b和h不成正比，也不是單值函式，而是磁性材料的b（h）函式影象。

變成乙個滯後環，初始 h 是固定的，並且該影象位於第一象限。

的斜率減小，直到變化率幾乎為 0，此時它變得磁飽和。

你也可以這樣想，u 的值隨著 h 的增加而減小（但不會抵消 h 的 b）。

因此，勵磁電流越大，DI恆定時DB越小，因此DUH越小。

當電流較大時，鐵磁體很有可能達到飽和，磁導率逐漸降低，磁場變小，霍爾元件與磁場呈線性變化，因此......你知道的。

這就是感應電壓，當勵磁電流為0時，感應晶元上的電流不放電，與接地端子短路時為0。

剩餘漏電電壓，接地可放電。

你在製造半導體材料，對吧？ 如果是金屬，應該不會有這種現象，如果是p型半導體，那麼這是正常現象，說明你的實驗溫度已經逐漸接近材料的本徵激發溫度，導致此時p型半導體的導帶上有更多的價電子， 當價電子的影響超過空穴時，霍爾電壓將改變符號。

霍爾效應是一種電磁效應，是美國物理學家霍爾（1855-1938）在1879年研究金屬的導電機理時發現的。 當電流通過垂直於慢燃外部磁場的導體時，垂直於磁場的導體兩端與電流方向之間存在電位差，這稱為基布霍爾效應。 這種電位差也稱為霍爾電位差。