雜質半導體的兩種型別是什麼？

電子半導體和空穴型半導體。 電子半導體使用電子作為主要載流子。

的半島材料，這是通過引入主要型別的雜質形成的。 空穴型半導體是以空穴帶正電為主的半導體。

當微量雜質摻入半導體時，雜質原子附近的週期勢場受到干擾並形成額外的結合態，從而在帶隙中產生額外的雜質能級。

N型半導體、p型半導體。

1.N型半導體在本徵半導體矽（或鍺）中摻雜微量的磷等5價元素，然後磷原子取代矽晶體中的少量矽原子，並在晶格上佔據一些位置。

2.在本徵半導體矽（或鍺）中，如果加入微量的3價元素，如硼，則硼原子取代晶體中的少量矽原子，佔據晶格上的一些位置。

型別半導體通過半導體工藝在本徵半導體矽（或鍺）中加入微量的五價元素（如磷）

如果將微量的磷、銻、砷等 5 價雜質元素摻雜到本徵半導體矽（或鍺）中，由於雜質原子的最外層有 5 個價電子，當其中 4 個與矽原子形成共價鍵時，就會多出 1 個價電子。 該電子僅被其自身的原子核吸引，不受共價鍵束縛，在室溫下可以成為自由電子，如圖2所示第2（a）段。

磷（或銻、砷）原子失去乙個電子，變成不動的正離子。 摻入的雜質元素越多，自由電子的濃度就越高，數量就越多。 而在這種雜質半導體中，電子濃度遠大於空穴濃度。

因此，電子稱為多數載流子（簡稱多噸），空穴稱為少數載流子（簡稱少數載流子）。 在外界電場的作用下，這種雜質半導體的電流主要是電子電流。 由於電子帶負電，這種主要傳導電子的半導體稱為n型半導體。

有四大類：積體電路、分立器件、感測器和光電器件。

根據國際公認的半導體生產和燃燒產物的標準方法，半導體可分為積體電路、分立器件、感測器和光電器件四大類，可統稱為半導體元件。

半導體工藝：

半導體工藝是指根據科學理論和生產實踐研究，從原材料到半導體器件成品形成的一整套換膚-回皮工藝體系。

半導體工藝基礎知識主要包括工藝流程、元器件製備、封裝測試等知識。

該工藝包括片上工藝、元器件封裝、系統封裝和測試等。

元器件準備包括積體電路封裝、穿孔、表面處理等。 包裝型別涵蓋塑料包裝、金屬包裝等。 測試型別包括閉合狀態效能測試、熱壓測試、電容測試等。

它包括材料科學、物理、化學、電子和微電子工藝方面的知識，這些知識能夠製造高效能半導體產品。 <>

1.N型半導體。

N型半導體又稱電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

形成原理。 摻雜和缺陷都會導致導帶中電子濃度的增加。 對於摻雜基團元素的鍺和矽半導體材料，當雜質原子通過取代取代晶格中的鍺和矽原子時，除了滿足共價鍵配位外，還可以提供多餘的電子，從而形成半導體中導帶電子濃度的增加，雜質原子稱為供體。

族化合物半導體的供體傾向於使用OR族元素。 有些氧化物半導體，它們的化學比往往呈現缺氧，這些氧空位可以顯示出供體的作用，所以這類氧化物通常是導電的，即n型半導體，真空加熱，可以進一步增強缺氧的程度。

2.P型半導體。

P型半導體一般是指空穴型半導體，主要是帶正電的空穴導電半導體。

編隊。 P型半導體是通過在純矽晶體中加入三價元素（如硼）來代替矽原子在晶格中的位置而形成的。 在p型半導體中，空穴多，自由電子少，主要依靠空穴導電。

由於p型半導體中的正電荷量和負電荷量相等，因此p型半導體是電中性的。 空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

特徵：1）N型半導體。

由於n型半導體中的正電荷量和負電荷量相等，因此n型半導體是電中性的。 自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。 摻入的雜質受到干擾和洩漏的越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性越強。

2）P型半慢速承載導體。

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度越高，導電性越強。

雜質半導體，顧名思義，就是含有雜質的半導體。 半導體中的雜質是電導率。

影響非常大，本徵半導體摻雜形成雜質半導體。 雜質半導體一般可分為n型半導體。

和 P 型半導體。 當微量雜質在半導體中摻雜時，雜質原子附近的週期勢場受到干擾並形成額外的結合態，從而在帶隙中產生額外的雜質能級。 可以提供電子載流子。

雜質稱為供體雜質，相應的能級稱為供體能級，位於導帶底部附近的禁帶上方。 例如，當四價元素鍺或矽晶體摻雜五價元素磷、砷、銻等雜質原子時，雜質原子是晶格及其五個價電子的成員。

其中有四個與周圍的鍺（或矽）原子形成共價鍵。

多餘的電子與雜質原子結合，產生乙個淺的類似氫的能級——供體能級。 在供體能級上，電子躍遷到導帶所需的能量遠小於將導帶從價帶激發到導帶所需的能量，並且容易激發導帶成為電子載體，因此對於摻雜了供體雜質的半導體， 導電載流子主要是被激發到導帶中的電子，屬於電子導電型。半導體中大部分載流子是電子的半導體稱為n型半導體。

由於半導體中總是存在本徵激發的電子-空穴對，因此在n型半導體中，電子是主要載流子，空穴是少數載流子。 能提供空穴載流子的相應雜質稱為受體雜質，相應的能級稱為受體能級，位於價帶頂部附近的帶隙下方。 例如，當硼、鋁、鎵等微量三價元素等雜質原子摻雜在鍺或矽晶體中時，雜質原子在與周圍的四個鍺（或矽）原子形成共價鍵時缺少乙個電子，因此存在空位，與該空位對應的能態為受體能級。

由於受體能級接近價帶的頂部，價帶中的電子很容易被激發到受體能級以填補這一空位，使受體雜質原子成為負中心。 同時，由於電子的電離，在價帶中留下空位，形成自由空穴載流子，並且該過程所需的電離能遠小於本徵半導體情況。 因此，空穴是大多數載流子，雜質半導體主要依靠空穴導電，即空穴導電型。

大多數載流子都是空穴的半導體稱為p型半導體。 在p型半導體中，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。 少數載流子往往在半導體器件的各種效應中起著重要作用。

根據所摻入雜質的型別和數量，半導體可分為（）a本昌對半導體感到懺悔。

半導體的型別。 半導體的型別。

d.高補償半導體。

正確答案：N型半導體容易被破壞; P型半導體; 高補償半導體。