微控制器中是否有EEPROM??? （什麼微控制器有EEPROM？ 如果是這樣，EEPROM和EEPROM晶元（AT

例如，ATMEGA8微控制器內部有 512 位元組的 EEPROM，它可以通過兩個暫存器從任何位址讀寫位元組，但不能一次讀寫多個位元組。 24C02 是序列 I2C 匯流排上的 EEPROM，需要對其進行程式設計以完成複雜的時序，但一次可以讀取和寫入多個位元組。

相比之下，微控制器內部的EEPROM讀寫程式簡單，而24C02則複雜。

微控制器有什麼型號，SCT的很多微控制器都有，和2402是一樣的，PIC微控制器裡面也只有有限的EEPROM寫入次數。

微控制器中有EEPROM，是並行通訊，AT24C02是序列通訊，速度無法比擬。

微控制器中有EEPROM，但嚴格來說，它只使用乙個快閃記憶體區作為EEPROM，只要操作相應的暫存器就可以使用了。

Flash 和 EEPROM 之間的最大區別在於，Flash 是逐個扇區執行的，而 EEPROM 是逐個位元組執行的。

I2C匯流排是定義乙個通訊協議，即資料傳輸方式，AT24C02N是乙個E2PROM晶元，是乙個在斷電時可以儲存的儲存裝置，這個晶元使用通訊協議作為I2C匯流排。

E2PROM和Flash的區別大致是。

內部結構不一樣。 快閃記憶體一般容量大，幾公尺到幾G，用於儲存大量資料。 E2PROM 通常很小，主要儲存少量資料。

這是根據兩個特點來決定的，E2PROM相對比快閃記憶體更方便，可以更快，經常讀寫，而快閃記憶體只能改1到0，而且是頁面操作，在寫入之前，需要擦除。 擦除時間長，擦除後所有資料0xff。 所以它是用來儲存程式的，而e2prom儲存了一些要儲存的引數。

微控制器的EEPROM在斷電時仍可儲存資料，因為EEPROM是電可擦除和可程式設計的ROM。 使用電訊號時可以清空和重寫記憶體，使用方便，晶元可以在不離開外掛程式板的情況下對其中的資料進行右擦或重寫。

微控制器的EEPROM在斷電時仍能儲存資料，它沒有內部電源，是只讀儲存器，斷電後資料不會消失。

這裡我們可以清楚地區分只讀儲存器ROM和隨機存取儲存器RAM的區別，乙個是唯讀的，斷電後資料會丟失; 而隨機存取儲存則不會，就是這麼簡單，容易理解，對吧？

EEPROM是一種非易失性儲存器，即即使在斷電的情況下也可以儲存資料，這是非易失性儲存器的特點。

裡面有電源嗎？

與RAM不同，EEPROM依靠暫存器或柵極電容來儲存資料，而是依靠物理結構的變化來儲存資料

1、EEPROM連線到MCU的SDA引腳時可以連線成功，但前提是MCU的引腳必須能夠雙向通訊。

2、微控制器RAM中儲存的資料在斷電後丟失，微控制器中儲存的資料不能隨意更改，即不能用於記錄更改後的值。 但是在某些場合，我們確實需要記錄某些資料，而且經常需要更改或更新，斷電後資料不會丟失，比如我們家電表的功率計度，電視機中的頻道記憶體，EEPROM一般是用來儲存資料的， 其特點是斷電後無損耗。

EEPROM是微控制器應用系統中經常使用的儲存器，主要用於儲存一些斷電後需要保持不變的資料。 在以前的微控制器系統中，通常會在微控制器之外擴充套件EEPROM晶元，這不僅增加了成本，而且降低了可靠性。 如今，許多微控制器公司都推出了整合了小容量EEPROM的微控制器，使用方便，降低成本，提高可靠性。

STM8微控制器晶元還整合了EEPROM，容量範圍為1K至2K位元組。 最與眾不同的是，在STM8微控制器中，對EEPROM的訪問與傳統的RAM一樣方便。 EEPROM的位址空間和儲存器是統一定址的，位址從004000h開始，大小取決於不同的晶元型號。

STM8內部的快閃記憶體程式儲存器和資料EEPROM由一組通用暫存器控制。 使用者可以使用這些暫存器對儲存器內容進行程式設計或擦除、設定寫保護或配置特定的低功耗模式。 該器件還可以使用選項位元組進行程式設計。

快閃記憶體可用於儲存**以及儲存資料。 一般來說，我們會從閃光燈開始將**儲存在區域，其餘部分將用於儲存資料（您的引數可以儲存在本節中，這部分的大小取決於閃光燈的大小和**空間的大小）。

EEPROM是“電”的。

可擦除、可程式設計、唯讀”。

DRAM 中存在的資料在斷電後會丟失，而 ERAM 中存在的資料在斷電後不會丟失。 EEPROM是電可擦除的可程式設計只讀儲存器。 一般情況下，EEPROM和EPROM一樣是唯讀的，需要寫入時，可以通過在指定的引腳上加乙個高壓來寫入或擦除，其擦除速度極快！

通常EEPROM晶元分為序列EEPROM和並行EEPROM，序列EEPROM資料輸入和輸出通過2線、3線、4線或SPI匯流排等介面方式進行，並行EEPROM資料輸入。

輸出通過並行匯流排進行。

此外，EEPROM可以清晰地儲存和重新程式設計資料。

片外EEPROM在ROM中呼叫程式，這是不準確的。

準確地說，程式都是由處理器呼叫的，無論是片上還是片外，它們都是統一定址的。

其過程是處理器根據程式位址，即PC值讀取指令，然後處理器根據該指令進行相應的操作。

如果 EA 連線到高電平，則位址小 4k 是片內位址，是從晶元讀取的，超過 4k 是片外位址，是從片外讀取的。

EA 是接地的，它完全是從作品外部讀取的。

呼叫和跳轉都是通過改變PC地來實現的，PC值改為**，處理器下次會從**讀取指令。

片外EEPROM不能直接呼叫ROM中的程式，即在片外指令中，呼叫或jmp執行，將PC更改為ROM中的位址。 下一次，處理器將使用 PC 讀取晶元上的指令。

寫出片外EEPROM，看導線是怎麼連線的，位址與接線有關。 如果您選擇常規的片外 RAM，它將像常規 RAM 一樣得到解決。 但是，寫入資料需要時間，並且寫入乙個資料和寫入另乙個資料需要一定的時間。

是的，讀取操作是必需的，一般EEPROM使用IIC協議來完成資料讀寫。