NAND是什麼意思，什麼是NAND

NAND快閃記憶體。

它是比硬碟驅動器更好的儲存裝置，在不超過 4GB 的低容量應用程式中尤為明顯。 隨著人們不斷追求功耗更低、重量更輕、效能更好的產品，NAND被證明非常有吸引力。 NAND快閃記憶體是一種非易失性儲存技術，即使在斷電後也能儲存資料。

其開發目標是降低每位元儲存成本，增加儲存容量。

電子上指的是 AND 或 Gate！

通俗地說，就是手機儲存專業版的解釋：NAND快閃記憶體是比硬碟更好的儲存解決方案，這在不超過4GB的低容量應用中尤為明顯。 隨著人們不斷追求功耗更低、重量更輕、效能更好的產品，NAND被證明極具吸引力。

NAND快閃記憶體陣列分為一系列128KB塊，是NAND裝置中最小的可擦除實體。 擦除塊是將所有位設定為“1”（並將所有位元組設定為 ffh）。 必須以程式設計方式將擦除的位從“1”更改為“0”。

最小的程式設計實體是乙個位元組。 一些 NOR 快閃記憶體可以同時執行讀和寫操作（參見下面的圖 1）。 雖然NAND不能同時執行讀取和寫入操作，但它可以使用一種稱為“影子”的方法在系統級別執行此操作。

這種方法已經在 PC 上使用了很多年，其中 BIOS 從較低速率的 ROM 載入到較高速率的 RAM。

NAND是NAND Gate。

NAND Gate，翻譯成英文為NAND Gate，是數位電路的基本邏輯電路。 當乙個或多個輸入為低電平時，輸出為高電平。 只有當所有輸入都為高電平時，輸出才為低電平。

NAND門可以看作是AND門的疊加。

CMOS電路中的邏輯門包括NAND門、AND門、NAND門、OR門、XOR門、XOR門、XOR門、施密特觸發門、緩衝器、驅動器等。

NAND快閃記憶體是比硬碟更好的儲存裝置，在不超過4GB的低容量應用中尤為明顯; ROM是ROM Image（唯讀記憶體映像）的縮寫，常用於手機定製系統玩家的圈子裡。

NAND：它是如何工作的。

與磁性HDD不同，NAND必須處於可以寫入資料的狀態，並且不具有HDD所具有的“就地寫入”功能。 如果資料已經寫入 NAND，則必須對資料進行潤色以模仿 NAND，然後才能接受新資料。 擦除是破壞材料薄層的過程。

NAND機構的簡單解釋有助於闡明這一點，儘管它仍然令人困惑。

NAND儲存器本質上由兩種型別的結構組成，稱為頁面和塊。 每個頁面最常見的是 4 2 kb（可以是其他大小，但這是最常見的），代表乙個讀寫單元。 多個頁面由 32 128 KB 或 128 512 KB 組成。

NAND讀取和寫入在頁面級別執行。 相反，擦除是在塊級別執行的。

ROM 定義。

智慧型手機配置中的ROM是指EEPROM（Electrical Erase Writable Read-Only Memory），類似於電腦的硬碟，刷機手機的過程是將ROM映像寫入ROM儲存器。 智慧型手機的ROM是指它的儲存空間，一般由UFS等快閃記憶體製作，其硬體不是唯讀的，所謂唯讀是指系統分割槽在軟體層面的讀寫許可權設定。

常見的ROM映象有IMG、ZIP等格式，前者通常由fastboot程式通過資料線（線刷）刷入，後者通常以恢復模式（刷卡）從SD刷入，實心IMG映象又稱線燒包，zip映象又稱卡閃包。

由於 ROM 映像是自定義系統最常見的分發形式，因此遊戲玩家經常悄悄地使用 ROM 一詞來指代手機的作業系統。

學生，你學的是微電子學嗎？ 要了解NAND晶元，就必須了解NAND和NOR儲存晶元內部的結構單元，了解浮柵原理，從而對其有深入的了解。

樓上提到的這兩款晶元的功能可能不符合您的要求，所以我會新增它。

如圖所示，NAND的發展晚於NOR，在基本單元結構中，NAND是以閘流體（包括浮柵）源極和漏極端串聯的形式使用的，例如，32個串聯的閘流體稱為乙個塊塊，擦除和程式設計必須在這個最小單元內操作。 從圖中可以看出，儲存密度大大增加（雖然閘流體的數量不少，節省了佈線空間）。 缺點也很明顯，乙個閘流體壞了，乙個塊都壞了，所以有了NAND，軟體就有很多糾錯工作要做，比如ECC

由於每個閘流體沒有單獨的位線，讀取速度受到很大影響，隨機讀取速度只能達到25us（微秒級）。但擦除速度更快。

至於NOR，每個閘流體（包括浮動柵極）都連線著位線和字線，因此可以隨機訪問，隨機讀取速度可以達到60-70ns（納秒級）。但是NOR的缺點是擦除速度很慢，原因是它不能逐塊擦除。

這是基本的結構差異，也就是最基本的差異。 例如，NAND介面沒有位址線，而NOR介面包含完整的位址線，與SRAM操作相容。 NAND通常用於儲存資料而不是程式檔案，因為程式檔案使用大量的隨機訪問，而NAND並不擅長。

我這裡有乙份NAND的資訊，是東芝的資訊，如果你需要更多細節，你可以在裡面找到答案，留下郵件，我可以發給你

快閃記憶體有兩種型別：NOR 和 NAND。 NOR型快閃記憶體和NAND快閃記憶體有很大的區別，比如NOR型快閃記憶體更像儲存器，有獨立的位址線和資料線，但**更貴，容量更小; NAND型更像是硬碟，位址線和資料線是同一條IO線，所有類似於硬碟的資訊都是通過硬碟線傳輸的，NAND型比NOR型快閃記憶體低，容量要大得多。

因此，NOR型快閃記憶體更適合頻繁的隨機讀寫，通常用於儲存程式**並直接在快閃記憶體中執行，手機是NOR型快閃記憶體的大使用者，因此手機的“記憶體”容量通常不大; NAND快閃記憶體主要用於儲存資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體盤和數字儲存卡，都是使用NAND快閃記憶體。

NAND晶元是使用NAND-Flash儲存器的晶元。

NAND-Flash儲存器是一種快閃記憶體，它內部採用非線性巨集單元模式，為實現固態大容量儲存器提供了一種廉價有效的解決方案。 Nand快閃記憶體具有容量大、重寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，因此在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品包括數位相機、Walkman儲存卡、小型U盤等。

1989 年，東芝公司發布了 NAND 快閃記憶體架構，強調更低的每位元成本、更高的效能以及像磁碟一樣易於公升級的介面。

nand的發音：美英 [n nd]。

例句如下：on the structure of the invalid nand flash, the classified invalid block management algorithm is proposed.在快閃記憶體擦除、寫入和讀取操作期間，為無效的塊管理核心提供了策略。

基於大容量NAND和快閃記憶體的快閃記憶體檔案系統基於大容量NAND快閃記憶體檔案系統的研究

on the structure of the invalid nand flash, the classified invalid block management algorithm is proposed.為快閃記憶體擦除、寫入和讀取操作期間的無效塊管理提供了策略。

NAND：PSP 啟動所需的所有檔案都儲存在 PSP 內部的晶元中，NAND 是該晶元內容的物理備份，包括 IPL、IDSachuse 和 LFla。 可以通過正確使用備份NAND來修復磚塊，這表明PSP永遠不會磚塊ROM塊，除非有硬體損壞

儲存器有兩種型別：隨機存取儲存器 （RAM） 和只讀儲存器 （ROM）。 其中，ROM通常用於固化和儲存製造商編寫的一些程式或資料，用於啟動計算機和控制計算機的工作模式。 另一方面，RAM用於訪問各種動態輸入和輸出資料、中間計算結果以及與外部儲存器和臨時資料交換的資料。

當裝置斷電時，儲存在RAM中的資料將丟失。

對於手機。

執行遊戲和程式的速度取決於RAM，即動態記憶體，而不是靜態空間，靜態空間是用來儲存東西的，相當於手機的Z盤。 RAM和ROM就像計算機的記憶體和硬碟驅動器。 準確地說，C 驅動器不應稱為 ROM 只讀儲存器。

C盤應該叫Flash，因為C盤是可重寫的，而且快閃記憶體的大小不影響執行速度。