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帶 SMD 的 1AM、2A 或 8050 和 8550TO92 封裝,只要遵守極性即可。
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如果你找乙個系列,應該有乙個替代方案,但是如果你沒有補丁,你能在原來的補丁位置上使用它嗎? 墊子應該不同
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A1SHB FET,型號為P溝道FET,替代型號如下:212T S、A1、H1SP、016H X、SO16Y、M21、PJ2301、PJ2305、XP152A、SI2301、SI2305、AO3401
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你可以直接去換乙個A1SHB,型號是PW2301A,很普通的聊天。
A1SHB。
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A1SHB 該元件是MP4啟動電路中的場效應電晶體,型號為SI2035。
它通常適用於 8050! 這是乙個 P 溝道 MOS 管。
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我有乙個這個貼片 FET。 A1 和 A1SHB 有什麼區別。
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型號 : S8050 .
描述:低電壓高。
封裝自:SOT-23。
J3Y是由夾在P型半導體之間的兩根N型半導體組成,發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結,集電極區與基區之間形成的PN結稱為集電極結,三根引線分別稱為發射極E、基極B和集電極C。
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型別為 J3Y 的貼片電晶體。
BAI這個被印為DUJ3Y,它的模型是三極體ZHI管的DAOS8050。
高功率後背。 電晶體的功率一般在1W以上,而這種電晶體由於功率耗散比較大,經常導致晶元在工作時溫度過高,所以通常需要安裝散熱片,以保證電晶體具有良好的散熱性。
低頻電晶體的特性頻率一般小於3MHz,這種電晶體多用於低頻放大電路,如無線電功率放大器電路。
金屬封裝的晶體三極體主要包括B型、C型、D型、E型、F型、G型,其中低功率電晶體(主要是高頻和低功率電晶體)主要採用B型封裝,F型和G型封裝主要用於低頻和大功率電晶體。
光電電晶體是一種具有放大能力的光電轉換器件,因此它比光電二極體具有更高的靈敏度。 需要注意的是,光電電晶體既有3個引腳,也有2個引腳,所以在使用時要注意區分,不要誤認為是2針光電電晶體。
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BAI 僅基於電晶體上的銘文即可獲得 DU
沒有辦法準確確定模型的zhi,這與電阻器上的dao印刷不同。
概念。 電晶體上的字母就是全部。
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9015 SMD、SOT32 不是封裝的嗎? SMD三極體上印的數字與直插式電晶體上印的數字不同。
證據:取AC的中點M並連線PM,因為PA=PC,PAC是等腰三角形,PM是PAC的中線,所以PM垂直於AC。 如果BM連線,則有AM=BM,因為PA=PB,PM=PM,所以PAM都等於PBM,所以PMA=PMB=90°,即PM是垂直BM。 >>>More