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DDR屬於第一代記憶體,DDR2屬於第二代記憶體,DDR3屬於第三代記憶體。 它們在頻率、電壓、引腳數和介面位置方面有所不同。
1、DDR=雙倍資料速率,DDR SDRAM=雙倍速率同步動態隨機存取儲存器,人們習慣稱DDR,DDR記憶體是在SDRAM記憶體的基礎上發展起來的,目前還採用SDRAM生產系統,所以對於記憶體廠家來說,只需要對製造普通SDRAM的裝置稍加改進,就可以實現DDR記憶體的生產。
2、DDR2 DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是JEDEC研發的新一代記憶體技術標準,它與上一代DDR記憶體技術標準最大的區別在於,雖然它也採用了在時鐘的上公升沿和下降沿同時進行資料傳輸的基本方法, DDR2 記憶體的預讀能力是上一代 DDR 記憶體的兩倍。
3、DDR3是計算機記憶體的規範。 它是 SDRAM 系列記憶體產品的一部分,提供比 DDR2 SDRAM 更高的效能和更低的電壓,是 DDR2 SDRAM(同步動態隨機存取儲存器)的繼任者(最多 8 倍),也是流行的記憶體產品規格。
DDR 和 DDR2 的區別;
1. 從上表可以看出,DDR2 在相同核心頻率下的執行頻率實際上是 DDR 的兩倍,這要歸功於 DDR2 記憶體的 4 位預讀能力是標準 DDR 記憶體的兩倍。
2、雖然DDR2和DDR在時鐘的上公升和下降延遲上都採用了同時進行資料傳輸的基本方法,但DDR2預讀系統命令資料的能力是DDR的兩倍,在100MHz的相同工作頻率下,DDR2的實際頻率為200MHz,而DDR2可以達到400MHz。
3.在相同工作頻率的DDR和DDR2記憶體中,後者的記憶體延遲比前者慢,例如DDR 200和DDR2-400的延遲相同,而後者的頻寬是後者的兩倍。
DDR2 和 DDR3 之間的主要區別;
1. 由於 DDR3 的預取是 8 位,因此突發長度 (BL) 也固定為 8,對於 DDR2 和早期的 DDR 架構系統,BL=4 也是常用的。
2. DDR3 為此增加了 4 位突發斬波模式,即使用 BL=4 讀取操作加上 BL=4 寫入操作來合成 BL=8 資料突發傳輸,這種突發模式可以通過 A12 位址線控制。
3、並且需要注意的是,任何突發中斷操作都將在 DDR3 記憶體中被禁止且不受支援,取而代之的是更靈活的突發傳輸控制(例如 4 位順序突發)。
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儲液器有兩種基本型別:ROM 和 RAM。
ROM(只讀儲存器):在ROM中,唯讀資料是預先記錄的,不能移動。 ROM不容易丟失,也就是說,無論計算機是開機還是關機,它們都會保留其內容。
大多數 PC 都有小型 ROM,主要用於儲存關鍵程式,例如用於啟動計算機的程式。 此外,ROM 還用於計算器和外圍裝置,例如儲存字型的雷射印表機。 ROM中還有一些擴充套件變數,例如可程式設計只讀儲存器(PROM),它使用專用的PROM程式設計器在空白晶元上寫入資料。
RAM(隨機存取):可以按任何順序訪問(讀取、寫入和移動)此記憶體的內容。 這與時間序列儲存裝置(如磁帶、記錄等)形成鮮明對比,在時間序列儲存裝置中,儲存介質的機械運動迫使計算機以固定順序訪問資料。
RAM通常負責計算機中的主要儲存任務,例如資料和程式等動態資訊的儲存。 RAM的常見格式包括:SRAM(靜態RAM)和DRAM(動態RAM)。
RAM IC通常組裝為插槽。 常見的標準插槽型別包括:SIMM(單列直插式記憶體模組)插槽和 DIMM(雙列直插式記憶體模組)插槽。
此外,還有快閃記憶體、NVRAM 和 EEPROM 等儲存器型別,這些儲存器型別是通過結合 RAM 和 ROM 功能獲得的。
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