為什麼U盤和儲存卡可以儲存大量的資訊，它們的生產原理是什麼？

儲存卡被看作是網狀結構，即矩陣結構，稱為快閃記憶體矩陣，它由網格中的小儲存單元組成，依靠儲存晶元快閃記憶體，儲存二進位資訊，具體情況可參考以下內容。

1.儲存卡依靠快閃記憶體晶元來儲存資訊，其儲存原理應從EPROM和EEPROM開始，EPROM是指內容可以通過特殊方式擦除然後重寫。 其基本單元電路常採用浮柵雪崩注入MOS電路，簡稱FAMOS。 它與MOS電路相似，在N型襯底上生長了兩個高度集中的p型區域，並且源極S和漏極D由歐姆接觸引起。

2、其次，源極與漏極之間的SiO2絕緣層中漂浮著多晶矽柵極，與周圍區域沒有直接的電氣連線。 這種電路用浮柵是否帶電來表示，浮柵充入電後（如負電荷），在其正下方，源極和漏極之間感應出乙個正導電通道，使MOS管導通，即沉積到0。 如果浮柵不充電，則未形成導電通道，MOS管未導通，即沉積在1中。

3.另外，EEPROM基本儲存單元電路與EPROM類似，它是在EPROM基本單元電路的浮動柵極之上產生乙個浮柵，前者稱為一級浮柵，後者稱為二級浮柵。 第二級浮閘可以抽出乙個電極，使第二級浮閘可以連線到一定電壓的VG。 如果VG為正電壓，則第一浮柵和漏極之間發生隧穿效應，使電子注入第一浮極，即程式設計和寫入。

如果VG為負，則第一級浮柵的電子將丟失，即被擦除，擦除後可以重寫。

4、SD卡儲存卡是用於手機、數位相機、可攜式電腦、***等數碼產品的獨立儲存介質，一般以卡的形式出現，因此統稱為“儲存卡”。 儲存卡具有體積小、攜帶方便、使用簡單等優點。 同時，由於大多數儲存卡都具有良好的相容性，因此很容易在不同的數碼產品之間交換資料。

近年來，隨著數碼產品的不斷發展，儲存卡的儲存容量不斷提高，應用也迅速普及。

U盤的儲存原理是什麼？ 快閃記憶體如何儲存資料？

準確地說，它是每個扇區的讀取和寫入次數。

英特爾聲稱 MLC 的 SSD 硬碟每天寫入 129TB 的資料，可以連續使用 20 年。

我有點記不清了，但太貴了）一般SLC

SSD 不滿足此要求。 U盤和SSD的晶元無法與具體的讀寫次數進行比較。

官員們通常不會提供準確的資料。

電腦城的一位金斯敦商人告訴我。

USB快閃記憶體驅動器的壽命與他使用的方案有很大關係。

如果所有晶元都相同，以達到更快的速度。

必須採取不同的方法。

每個更快的解決方案都是犧牲不一定讀取和寫入的次數。

常規次數為2W-3W次）儲存卡與 USB 快閃記憶體驅動器大致相同。HDD 我剛才說的是 SSD

如果是傳統硬碟，這個我真的不知道，應該比前2款產品高很多。

我讀了很多書，他們中的大多數都在談論效能，沒有人談論原理。 我只知道硬碟通過有磁性來儲存資料，就像過去留聲機的讀寫一樣，都需要磁軌，但材料發生了變化，體積變小了。

我還不了解儲存卡和USB快閃記憶體驅動器的資料原理。