電晶體臨界飽和深度飽和問題

對於單個矽管，電晶體臨界飽和的正確條件應為VCE=VBE=，即電晶體VCB的集電極結=0V; 當VCB>0V時，表示電晶體的集電極結反接，電晶體處於放大狀態。 當VCB<0V時，表示電晶體集電極結正偏置（VBC<=VBE=，電晶體處於飽和導通狀態。 電晶體的飽和導通深度取決於集電極電阻或基極電阻的大小，集電極電阻越大或基極電阻越小，電晶體的飽和導通深度越深，電晶體完全深度飽和的條件是vbc=vbe=，即vce=0

這是個好問題，但我也很好奇。 這是數位電路的第二章。

二極體飽和狀態是當二極體飽和時，電壓不再隨著電流的增加而增加。 由於R2倍短路，VB電壓約為12x10（5+10）=8V，VE=，ICie= VCE=12-IC（2K+2K）<0，因此飽和。 VCE“即飽和。

二極體具有正嚮導通的特性，正嚮導通電流達到一定水平，線路趨於飽和，即飽和。 這可以從二極體電流和電壓曲線中看出。 此時，電壓不再隨著電流的增加而增加。

二極體的工作原理

二極體的主要原理是使用 p-n 結。

將P-n結的單向電導率新增到引線和封裝中，成為二極體。 晶體二極體是由p型製成的半導體。

與n型半導體形成的p-n結在其介面兩側形成空間電荷層，並構建了自建電場。 當沒有施加電壓時，由於pn結兩側的載流子。

濃度差引起的擴散電流與自建電場引起的漂移電流相等，處於電平衡狀態。

當外部區域存在正向電壓偏置時，外部電場和自建電場的相互抑制作用增加了載流子的擴散電流，引起正向電流。 當外界存在反向電壓偏置時，外部電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內獨立於反向偏置電壓值的反向飽和電流。 肢體純潔。

當施加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度。

當達到臨界值時，產生飢餓鍵載流子的倍增過程，產生大量的電子-空穴對，產生大值的反向擊穿電流，稱為二極體擊穿現象。 PN結的反向擊穿分為齊納擊穿和雪崩擊穿。

電晶體是電流型控制元件，即小電流控制大電流，它有三個工作區：截止區、放大區和飽和區。 截止區的條件（假設 be 的壓降為：

UBE，UBE，此時IB=0，EC之間的內阻很大（相當於開路）。

放大面積：UBE、IB有電流，滿足IC=IB，IE=（+1）IB，也就是說IB越大，IC越大，也就是電晶體的放大，此時發射結正偏置，集電極結反轉。

飽和區：當基極電流繼續增大，集電極電流不再增加（趨於穩定）時，電晶體達到飽和，三極體的集電極結正偏，飽和時發射結正偏置。

驅動繼電器時，電晶體在飽和狀態下工作。

只有當電晶體飽和導通時，CE結的壓降接近0V，繼電器線圈兩端的電壓為12V，繼電器才能正常接合。

例如，普通無線電電路的工作電壓為5伏，集電極電阻為1千歐姆，理論最大IC為5毫安，再除以放大倍數，得到進入飽和區的最小IC

你要先確定這個電晶體的放大範圍，一般的放大範圍是200-300，或者300-400，在飽和狀態下給出的電流一般是IB大約等於IC的1 10，實際上，要進入飽和狀態，也就是要使IC的IB比放大倍率小得多。

當它處於開路狀態時，電晶體處於飽和狀態，UCE UBE和UCE之間的電壓很小，一般小於PN結的正向壓降（<

你可以給基極乙個足夠大的電壓，比如+5V

當三極體飽和時，基極電壓確實高於其他兩極，三極體主要是電流控制元件，基極電流控制集電極電流，當基極電流增加時，集電極電流也迅速增加，那麼集電極電壓上的電阻也較大，集電極電流過大， 而集電極電壓上的電阻過大，最終導致集電極電壓低於基極，這就是我們所說的飽和磁通。集電極接電源電壓，電壓幾乎全部降在電阻上。 基極電壓低於電阻（負載）電壓。

因此，不可能說“直接向負載提供基極電壓”。 基極電壓僅起控制作用。

問題的補充回答：電晶體在飽和狀態下工作，是否先從放大狀態進入飽和狀態。 微控制器的輸出電平為5V，即給基極足夠大的電流，使電晶體快速進入飽和狀態。

為什麼不直接將基極電壓饋送到負載上呢？ 你想使用三極體嗎？ --這是為了增加驅動能力。

當進行發射結時，集電極結如何進行，因為集電極電位高於基極。 --半導體導電的方式與導體不同，導體涉及半導體物理，請參考相關書籍。

當三極體的基極電流增大而集電極電流不隨增大而增大時為飽和，假設負載電阻為1K，VCC為5V，飽和時通過電流的最大電阻為5mA，除以管的值（假設=100）5 100=，則基極電流大於50A即可飽和。

1.在實踐中，ib* =v r 通常被用作判斷臨界飽和度的條件。 根據IB*=V R計算的IB值僅使電晶體進入初始飽和狀態，實際上應該取比該值多幾倍才能達到真正的飽和狀態; 乘數越大，飽和度越深。

2.集電極電阻越大，越容易飽和;

3.飽和區的現象是兩個PN結是正偏置的，IC不受IB控制。

當三極體的基極電流增大而集電極電流不隨增大時，飽和電流由集電極電阻和發射極電阻決定，飽和電流的大小與三極體無關，一般當CE電壓較小時，三極體飽和。

啟動後是否直接進入飽和狀態取決於具體電路，而放大、飽和區和放大、飽和狀態是不同的概念。

當基極電流乘以放大倍率等於或略大於集電極電流時，就會發生淺飽和，而深飽和度遠大於集電極電流。 開關電路的深度飽和會影響速度。

電晶體具有電流放大作用，但必須與外部電路條件相匹配，即外部電路滿足“發射極e正向偏置”。 集電極反向偏置”。 電晶體的輸出特性通道可分為三個區域，即放大區、飽和區和截止區。

在飽和區，飽和壓降一般較小（小於1伏）。

首先，區分晶元型別，輸出是否為集電極開路輸出; U1 加二極體。

你的理解沒有錯誤，你已經努力理解這個層次。 但還是存在一些問題，主要表現在以下幾個方面：

1.過分關注“極結正偏差”。 事實上，在飽和區，即使極結是正偏置的，極結的正嚮導通電壓還沒有達到。 然而，大多數人都會被“積極偏見”所誤導。

2.飽和的含義：集電極電流隨著基極電流的增加而增大，當集電極電流增大到一定程度時，再增大基極電流，集電極電流不再隨增大而增大，這種現象稱為飽和。 而“如果電晶體在飽和狀態下工作，那麼它就是雙結正偏置”是一種現象或因果關係，它不是一種解釋。

飽和的本質是由於集電極結的正偏置，IC與IB的線性關係分離（請檢視三極體結構）。

3、電晶體的飽和狀態包括IC趨於0的狀態，請親身體驗理解。

4.通過在電晶體傳輸結上增加正嚮導通偏置，在集電極結上增加正向偏置，三極體必須處於飽和區（不得在放大區，包括IC為零的情況）。

以上關鍵點不能通過彌補來彌補。 當然，不學習的人看不到這個問題。

印象：發射極保證正偏差較低，基極電流的流入會拉動集電極相對於基極的電壓，從而拉動集電極正負偏差的方向，導致飽和、臨界、放大。

但為什麼書上總是說飽和狀態集電極電流最大，按照特性曲線，狀態集電極電流不應該放大到最大嗎？

恭喜你，你對電晶體源的工作狀態有了更深入的了解，你的理解是正確的，其實書中提到的傳輸結的正偏差和集電極結的正偏差，除了是判斷電晶體是否處於飽和狀態之外，還有一種方法也可以用來判斷電晶體是否處於飽和狀態， 即集電極結是偏置的，傳輸結是正偏置的。

正確理解。

複雜！ 集電極電流隨著基極電流的增加而增大，當集電極電流增大到一定程度時，再增大基極電流，集電極電流不再隨著基極電流的增加而增大，管子是飽和的，隨著基極電流的不斷增大，也會達到一種叫做深度飽和的狀態， 電子管的壓降很低，如果此時沒有限制電路電流的裝置，電晶體很容易燒毀。

三極體複合體。

飽和度與實際電路一起解釋。

這樣會更容易製作（即書中基本共發射放大電路的示意圖）。 當訊號從零開始增加時，發射結正偏置，集電極結在外部電源VCC的作用下反轉，電路處於放大狀態，隨著訊號的增加，IB增大，IC=IB，IC增大，RC兩端電壓也增大， VCC是確定的，加在集電極結兩端的電壓慢慢降低（UCE減小），在一定時間，集電極結電壓降低到零，此時電晶體就會飽和，因為集電極結即將反轉，無論IB有多大，IC都不會再次增加。

關於飽和度最重要的一點是UCE降低到一定程度，就會達到飽和，所以書上說UCE UBE、UBE UON和電晶體都處於飽和狀態。

我不知道我是否正確，但我可以討論一下。

為了增加IB，必須增加UB，假設UC保持不變，那麼UBC就會向內增加（原容量UBC小於零，這裡逐漸接近零並大於零，當UBC大於零時，集電結是正偏置的），這樣從發射極注入基區的電子流就會在抑制下減少到集電極UBC（假設它已經大於零），即IC將逐漸減小到零。

如果UB增加，UC也增加，UBC總是小於零，即集電極結總是倒置的，這樣無論IB增加多少，IC總是等於IB的某個倍數，不會飽和。

請提出問題：

如果在電晶體處於放大狀態時向集電極IC注入大電流，IC= *IB是否仍然有效？

另外，UCE 是否僅與供電的 VCC 相關？ 是受控數量還是受控數量？ 它到底和它有什麼關係？

我覺得你對電路的理解有點幼稚，乙個確定連線的電路，一次只能有一種狀態，比如說你知道這個地方的電流，就可以用物理電阻來計算電路的一切，但是你單獨討論電流和電壓的絕對對應變化（當然， 裝置很理想），你的基礎不堅實。我認為這個問題只要裝置是理想的，就可以按照實際的測試結果或計算機模擬結果來推理過程，發揮你的大腦想象力，簡化模型，並推廣...... 以此類推，這是正確的方法（也許最後你會發現結果並不那麼重要，或者找到震驚世界的東西，哈哈。 )