電晶體的工作狀態，電晶體的三種工作狀態

正向偏置：p端的電壓高於n端的電壓。

反向偏置：n端電壓高於p端電壓。

截止：為 0 或倒置，bc 0 或倒置。

放大：有偏見，bc有偏見。

飽和：有偏見，有偏見。

反向：反向偏置，BC為正向偏置（反向時沒有放大效應）。

電晶體有乙個pn結，當p端電位高於n端時，它是正偏置的，反之亦然。 詳情請參閱清華大學的《模擬電子技術簡明課程》。

電晶體主要有三種工作狀態。 1.截至該州。 當電晶體發射結反偏，集電極結反向偏置時，三極體的工作狀態將進入截止狀態。

這相當於乙個封閉的水龍頭，水龍頭裡的水不能流。

2.放大狀態。 當電晶體發射結正偏置，集電極結反轉時，會導致電晶體被放大。 它相當於乙個受控的水龍頭，控制從水龍頭流出的水的大小。

3.飽和狀態。 當電晶體發射結正偏置，集電極結正偏置時，會導致飽和狀態，相當於再次接通開關時，水的流出量不會變大。

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分析：電晶體的三種工作狀態。

截止狀態：當電晶體發射結所加的電壓小於pn結的導通電壓時，基極電流為零，集電極電流和發射極電流為零，三極體失去電流放大效應，集電極與發射極之間的間隙相當於開關的斷開狀態， 我們稱三極體處於截止狀態。

放大狀態：當加到三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓並處於適當值時，三極體的發射結正偏置，集電極結反向偏置，此時基極電流對集電極電流起控制作用， 使三極體具有電流放大效應，其電流放大因數為δic ΔIB，此時電晶體被放大。

飽和導通狀態：當施加在電晶體發射結上的電壓大於p-n結的導通電壓時，當基極電流增加到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增加而增加，而是在某個值附近變化不大，則三極體失去電流放大效應， 集電極與發射極之間的電壓很小，集電極與發射極之間的導通狀態相當於開關。電晶體的這種狀態稱為飽和導通狀態。

根據三極體工作時每個電極的電位，可以判斷三極體的工作狀態，因此，在檢修過程中，電子檢修人員往往要多拿儀表來測量三極體每腳的電壓，從而判斷三極體的工作狀態和工作狀態。

它們是截止狀態、飽和狀態和放大狀態。

截止狀態。 當加到電晶體發射結的電壓小於pn結的導通電壓時，基極電流為零，集電極電流和發射極電流為零，此時三極體失去電流放大效應，集電極與發射極之間的間隙相當於開關的斷開狀態， 我們稱三極體處於截止狀態。

放大狀態。 當加到三極體發射結的電壓大於PN結的導通電壓並處於適當值時，三極體的發射結正偏置，集電極結反向偏置，基極電流對集電極電流起控制作用，使三極體具有電流放大作用， 其電流放大因子=δic ΔIB，此時電晶體被放大。

飽和開啟。 當施加在電晶體發射結上的電壓大於p-n結的導通電壓時，當基極電流增加到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增加而增加，而是在某個值附近變化不大，則三極體失去電流放大效應， 集電極與發射極之間的電壓很小，集電極與發射極之間的導通狀態相當於開關。電晶體的這種狀態稱為飽和導通狀態。

電晶體的特性曲線分為四個區域：飽和區、放大區、截止區和擊穿區。 前三個地區通常討論得更多。

三極體的工作點進入飽和區，電晶體進入飽和狀態。 當電晶體進入飽和狀態時，也分為深度飽和。 可以這樣理解：

當電晶體進入飽和區並失去線性放大時，可以認為電晶體處於飽和狀態（q1）; 當電晶體完全由放大驅動時，電晶體處於深度飽和狀態（q3）。

電晶體VCE（Sat）的飽和壓降有重要的條件，即VCE（SAT）在一定的IB和IC條件下。

電晶體參數列中給出的資料也是特定條件下的數值（圖中顯示了S8050的VCE（SAT）資料）。

從圖中也可以看出，當負載電阻較大（IC較小）時，VCE（SAT）的值很小，甚至更小。