鍺電晶體和硼化物有什麼區別？

矽電晶體和鍺電晶體都有電流放大效應，但區別在於矽電晶體的死區電壓大於鍺電晶體; 矽電晶體的導通電壓大約。

你是能做到的，誰說要給別人，應該是體積小的那個，最近要是管了，體質應該大一點。

因為這兩者，裡面所含的微量元素是不同的，所以在這個區域使用效果也不同，所以一定要注意。

電晶體和 Pennan 戲劇之間的區別在於它們的一些外形尺寸並不完全相同。

電鍍電晶體的區別在於價效比不同，材料也不同。

矽是一種相對穩定的元素，其電晶體是純SiO2，能與HF（氫葉酸）反應，非常透明。

而鍺屬於金屬元素，用於單晶。

X射線衍射法確定其晶體結構，非常專業，沒有裝置是不可能的，所以有必要與矽區分開來！！

您好：——1.由於使用的半導體材料不同，鍺管和矽管的主要區別在於鍺管的漏電流遠大於矽管，並且隨著溫度的公升高，漏電流也會急劇上公升。

也就是說，鍺管的“熱穩定性”很差。 這是鍺管基本被淘汰的主要原因。

2.可以做乙個實驗：將鍺管C通過2K電阻連線到6V的負極，電極E連線到正極，將基極B懸空。 測量其漏電流; ，矽管C通過2K電阻連線到6V的正極，電極E連線到負極，基極B懸空。

測量其漏電流; 結果可以證明兩者的穩定性有多麼不同！

3.電晶體收音機用矽管還是有很大的優勢的，特別是穩定性非常好。 然而，凡事都有“兩面性”，使用沒有輸出變壓器（OTL）的功率放大器時，鍺管的效率仍然更高。 您可以使用混合設計、高頻、中頻、預低電平矽管和帶有鍺管的功率放大器。

3DJ6是以國產電晶體MOSFET命名的型號，材質：矽。

國產電晶體命名字母和編號的含義：

3 - 電晶體。

A、B-鍺材料。

C、D——矽材料。

力分量G6是矽管，由於比較軟，所以常用。

電晶體3DG，六是矽膠管她不是活生生的玩，這個材質是不一樣的。

矽。 只有國產晶元才會使用 C 和 D 進行命名。 鍺，以 a、b 命名。

這個電晶體是乙個矽管。

電晶體 3DG，6 是矽管。

電晶體3 dg 6矽管或塞管較好。

1.單極電晶體。

單極電晶體也稱為場效應電晶體或 FET（場效應電晶體）。 它是一種電壓控制裝置，通過輸入電壓產生的電場效應來控制輸出電流。 當它工作時，只有一種型別的載流子（大多數載流子）參與導電，因此稱為單極電晶體。

特點：高達 107 1015 的高輸入電阻，高達 1015 的絕緣柵極 FET。

噪音低，熱穩定性好，工藝簡單，易於整合，器件特性易於控制，功耗低，體積小，成本低。 分類：

根據材料的不同，可分為結型場效應電晶體（JFET）和絕緣柵FET（絕緣柵FET）。 2.雙極電晶體。

雙極電晶體又稱電晶體，是一種通過輸入電流控制輸出電流的電流控制器件，具有電流放大作用。 當它工作時，有兩種載流子，電子和空穴，它們參與導電過程，因此稱為雙極三極體。 特徵：

電晶體可用於放大微弱訊號和非接觸式開關。 具有結構牢固、壽命長、體積小、功耗低等一系列獨特優勢，因此在各個領域得到了廣泛的應用。 分類：

根據材料的不同，電晶體可分為矽管（Si）和鍺管（Ge）。

矽電晶體的反向漏電流小，耐壓高，溫度漂移小，可在較高溫度下工作，承受較大的功率損耗。 鍺電晶體增益大，頻率響應好，特別適用於低壓線路。