半導體儲存器如何實現資料儲存？

資料以兩種不同的電位儲存，高電位和低電位。

半導體儲存器（Semi-conductor Memory）是一種以半導體電路為儲存器，內部儲存器由稱為儲存晶元的半導體積體電路組成。

按其功能可分為：隨機存取儲存器（簡稱RAM）和只讀儲存器（唯讀ROM）。

RAM包括DRAM（動態隨機存取儲存器）和SRAM（靜態隨機存取儲存器），當電源關閉或斷電時，資訊會丟失。 DRAM主要用於主儲存器（儲存器的主要部分），SRAM主要用於快取記憶體、ROM

主要用於BIOS記憶體。

按其製造工藝可分為：雙極電晶體儲存器和MOS電晶體儲存器。

根據其儲存原理，可分為靜態和動態兩種。

其優點是：體積小、儲存速度快、儲存密度高、易於與邏輯電路連線。

主要用作快取、主儲存器、只讀儲存器、堆疊儲存器等。

半導體儲存器的技術指標主要包括：

3.訪問週期：兩個獨立記憶體操作之間的最短時間。

4.平均故障間隔時間 MTBF（可靠性）。

5.功耗：動態功耗、靜態功耗。

半導體儲存器晶元根據讀寫功能可分為只讀儲存器（ROM）和隨機存取儲存器（RAM）兩大類。

唯讀儲存電路結構簡單，斷電後儲存的資料不會丟失，特別適合儲存永久不變的程式或資料（如常量表、函式、**和字元等），計算機中的自檢程式在ROM中固化。 ROM的最大優點是它們不易失。

不可重寫的只讀儲存器。

1. 遮蔽只讀儲存器 （MROM）。

掩碼只讀儲存器，也稱為固定 ROM。 這種ROM在製造時，製造商使用掩模技術將資訊寫入儲存器，使用者在使用時無法更改，因此適合批量生產。

掩模只讀儲存器可分為二極體ROM、雙極三極體ROM和MOS ROM三種。

2. 可程式設計只讀儲存器（PROM）。

可程式設計ROM（PROM）是一種只讀儲存器，可以由使用者一次寫入，是在MOM的基礎上開發的。

隨機讀寫儲存器

1.靜態儲存器（SRAM）。

雙穩態觸發器用於儲存資訊，只要不間斷，資訊就不會丟失。 靜態記憶體具有整合度低、成本高、功耗高等特點，通常用作快取儲存體。

2.動態記憶體（DRAM）。

MOS電容器用於儲存電荷以儲存資訊，使用過程中需要對電容器進行連續充電以保持資訊。 動態儲存器電路簡單，整合度高，成本低，功耗小，但需要反覆重新整理，工作速度慢，適合作為主儲存器的主要部分。

3. 增強型 DRAM （EDRAM）。

EDRAM晶元由整合在DRAM晶元上的高速小容量SRAM晶元組成，小容量SRAM晶元充當快取記憶體，使DRAM晶元的效能得到顯著提公升。

半導體儲存器的分類：RAM和ROM

RAM有兩種，SRAM（靜態RAM），它利用觸發器電路形成二進位位資訊儲存單元，這種觸發器一般由6個電晶體組成，它採用單邊讀出原理讀出，採用雙邊寫入原理寫入; 整合度高的DRAM（動態RAM）與內部儲存單元以矩形陣列的形式排列成乙個儲存體，通常採用行列位址的復合選擇定址方法。

ROM有5種型別，固定模板可程式設計ROM，可程式設計PROM，UV檫樹可程式設計EPROM，電檫樹可程式設計EPROM，快閃記憶體。

儲存器的儲存介質是半導體，一般稱為半導體儲存器它由大量相同的儲存單元和輸入和輸出電路組成。 每個儲存單元有兩種不同的表示形式，0 和 1，用於儲存不同的資訊。 半導體儲存器是計算機的重要組成部分。

與磁性儲存器探探相比，半導體儲存器具有訪問速度快、儲存容量大、體積小等優點，並且儲存單元陣列相容主要的外部外圍邏輯電路，可以在同一晶元上製作，使輸入和輸出介面大大簡化。

半導體儲存器的分類。

根據功能的不同，半導體儲存器可分為三類：隨機儲存器（RAM）、只讀儲存器（ROM）和序列儲存器。 隨著半導體積體電路工藝技術的發展，半導體儲存器的容量增長非常迅速，單片儲存器容量已進入兆級，如16萬億動態隨機存取儲存器（DRAM）已經商業化，64萬億和256萬億DRAM正在開發中。

構成內部儲存器的半導體儲存器元件主要有以下幾種型別：

動態隨機存取儲存器（DRAM）:d RAM是一種基於電容器的儲存器，其特點是儲存單元小、整合度高、讀寫速度快，但需要定期重新整理，儲存時間短。

靜態隨機存取儲存器（SRAM）：SRAM是一種基於觸發的儲存器，其特點是儲存單元大、整合度低、讀寫速度快，不需要重新整理，但功耗高、成本高。

快閃記憶體：快閃記憶體是一種非易失性彈簧儲存器，其特點是儲存單元小，整合度高，讀寫速度快，擦除時間有限，適用於大容量儲存。

只讀儲存器（ROM）：ROM是一種只讀儲存器，其特點是儲存單元大、整合度低、讀取速度快，但不能修改。

上述儲存器元件廣泛應用於計算機等電子裝置中，不同的儲存器元件具有不同的特性和應用，可根據具體的應用要求進行選擇。

Pro，1 半導體樹枝狀儲存器是現代數字系統，尤其是計算機的重要組成部分，可分為RAM和ROM兩大類，其中大部分屬於採用MOS工藝製成的大規模積體電路。 2 RAM是具有記憶功能的時序邏輯電路。 當電源被切斷時，它儲存的資料會消失，因此它是乙個易失性讀寫儲存器。

它由兩種型別組成：SRAM（使用觸發器來儲存資料）和 DRAM（通過 MOS 柵極電容器儲存資料）。 因此，SRAM資料可以在不斷電的情況下長時間保持，而DRAM必須定期重新整理。 3 ROM 是一種非易失性儲存器，用於儲存固定資料，並且只能讀出。

根據資料寫入方式的不同，ROM可分為固定ROM和可程式設計ROM兩種。 希望對你有所幫助。

1.隨機訪問。

以相同的速度、相同的速度、以相同的速度隨機讀取和寫入資料的儲存器（寫入速度和讀出速度可以不同）。 儲存單元的內部結構一般由二維方陣組成，即一位一位址的形式（如64k 1位）。 但是，有時也有一種編排形式以促進多位輸出（例如 8k 8 位）。

特點：這類儲存器的特點是單元器件數量少，整合度高，應用最為廣泛（參見金屬氧化物半導體動態隨機存取儲存器）。

2.只讀儲存器。

它用於儲存長期固定的資料或資訊，如各種函式表、字元和固定程式。 該裝置只有乙個二極體或三極體。 作為一般規則，當裝置開啟時為“1”，斷開連線時為“0”，反之亦然。

在設計只讀儲存器掩模時，資料以十字線模式寫入，然後在光刻過程中傳輸到矽晶元。

特點：其優點是適合批量生產。 但是，在整機除錯階段，往往需要修改只讀儲存器的內容，費時、麻煩、不靈活（參見半導體只讀儲存器）。

3.序列儲存器。

它的細胞排列成一維結構，就像磁帶一樣。 第一部分和最後一部分的讀取間隔很長，因為整個磁帶是按順序傳遞的。 半導體序列儲存器中的單元也以一維方式排列，並在每列中按順序讀取資料，例如移位暫存器和電荷耦合儲存器。

特點：1024位靜態隨機存取儲存器（RRAM）等GaAs半導體儲存器的讀取時間為2毫秒，有望在超高速領域發展。