關於弱鹼和晶體結構的幾個問題

弱鹼：氨、三乙胺、乙二胺等為共價化合物; 銅（OH）2 和鐵（OH）3 是離子化合物。

弱鹼是電解質，既然叫“弱”鹼，當然就是弱電解質。

分子弱鹼的熔融狀態不導電，水溶液導電。 Cu（OH）2 和 Fe（OH）3 等弱鹼不具有熔融狀態，加熱後立即分解。

關於您的意見：

1、液晶的熔融態也能導電，液晶不是離子化合物。

2.對於一些極不溶的離子化合物如Cus，水溶液的電導率與水的電導率相同; 蔗糖和葡萄糖是共價化合物，水溶液具有與水相同的導電性。

3.AlCl的水溶液3 導電，但不是AlCl3導電，而是水解產生的HCl。

化學研究害怕絕對。

弱鹼，如Cu（OH）2、Fe（OH）3等，是由離子組成的離子化合物。

弱鹼是電解質，是弱電解質。

1.不，例如，Cu 可以在熔融狀態下導電，但它不是離子化合物 2不，離子化合物不一定在熔融狀態或水溶液中導電，因為某些離子化合物會水解或熱分解。

3.是的，AlCl3 是一種共價化合物，熔化時難以導電，在水溶液中導電。

答：這取決於分子的形態嗎？ 我猜你不明白的是後者在中間，大雨在前者！

事實上，兩者的分子是不同的。

BCA乾冰和固體二硫化碳都是分子晶體，分子晶體組成和結構相似，分子間作用力取決於相對分子質量，相對分子質量越大，分子間作用力越大，晶體沸點越高，CO2KCl

c.金剛石和結晶矽都是原子晶體，沸點取決於共價鍵的大小，原子半徑越小，原子之間的共價鍵越強，沸點越高。

金剛石結晶矽。

d.乾冰和二氧化碳晶體？ 這是一樣的。

沸點越高越穩定，原子晶體比分子晶體更穩定！

乾冰是CO2，CS2是分子晶體，看誰分子量大穩定！ SC2 High 我不選擇它。

B 同上，不選擇高沸點的KaCl。

C金剛石是C矽是Si，原子半徑小比較穩定，所以C穩定選擇C

d 兩個是相同的。

原子之間的共價鍵越強，沸點越高。

離子鍵能越強，沸點越高。

相對分子質量越大，分子間作用力越強，沸點越高，通過這三者可以判斷正確答案是BC

1. Braffy晶格不包括閉排六邊形晶格。 因為緊密堆積的六邊形晶格可以拆解成體心的正交晶格。

2.麵心四邊形晶格可拆解成簡單的正交。

剩下的問題本身並不難，但是需要畫出來才能解決，這比較繁瑣，所以讓我們自己做研究吧。

5.同意四樓的宣告。

8.沒有錯誤。 六方ZNS的晶體結構實際上是纖鋅礦結構，如果不區分正負離子，那麼正離子實際上佔據了1 2個四面體間隙。 如果區分，則乙個晶格相對於另乙個晶格沿 c 軸移動三分之一的晶格向量。

因為一般的纖鋅礦結構只是最區域性的結構，如果lz畫出更多的點，自然會被看到。

1. Braffy晶格不包括閉排六邊形晶格。 因為緊密堆積的六邊形晶格不是最簡單的，所以可以分解成其他簡單的晶格。

2.麵心四邊形晶格可以分解成簡單的正交晶格。

3.如何繪製已知指數的晶體取向？ 有哪些提示？ 說明。

在晶胞中選擇原點 o，符合右手定則，按要求行走。 例如，（-102），先將最大指數簡化為1，即約簡為（-1 2 0 1），然後從原點開始，在x軸的負方向上走乙個平方，在y方向上走0個平方，在z方向上走1個平方，得到a點。 附著 OA 會產生晶體取向 （-102）。

4.如何繪製具有已知指數的晶體平面？ 有哪些提示？ 說明。

對於與晶體方向相似的晶面，先取倒數，然後沿三軸方向找到截距並連線。

5.對於六方晶體系統，在繪製已知指數的晶體取向和晶平面時，有哪些方法和技術？

六方晶系，注意三軸坐標和四軸坐標的變換！ 如果六邊形晶體系統給出腔室的三軸坐標，首先將三軸坐標轉換為四軸坐標！ 再次畫畫很容易！

TiO2是一種比較複雜的晶體結構，晶格為立方體，Ti原子位於8個頂點和體心處，4個O在表面，2個O在中間，氧原子形成八面體結構。

晶胞可以被認為是由晶格點加上結構基元（結構單位）組成的。 晶格點是從晶胞結構中抽象出來的點，結構單元是這些點所代表的。 因此，當然，在分析結構單元時沒有必要計算公地。

希望它能幫助你理解。

將多個結構單元堆疊在一起，可以知道頂角的原子或分子佔1 8，即8個晶胞單元共享哪個原子或分子，面中心佔1 2，稜鏡佔1 4，明白嗎？

問題 1：

不管是什麼物質。

只要是水溶液即可。

這都是混合體。

HCl是電解質，鹽酸不是電解質。

電解質概念：氨NH3是一種在水溶液或熔融狀態下能導電的化合物，溶於水生成一水合氨NH3·H2O，它本身不是氨，所以氨不能稱為電解質，而只能稱為非電解質。但氨不是電解質，因為它是一種混合物。

問題2：要記住前20個常用的地方。

從Ti六方晶體的C軸和A軸的比值可以看出，實際上Ti並不是理想的六方晶體體系。 理想C A=，Mg=; Ti=，說明Ti層和夾層非常緻密，因此可能導致滑移體系的增加和更好的塑性。

1.飽和溶液洗掉晶體後，得到的一定是飽和溶液，否則晶體不會被吸收，但是這種飽和溶液的溶解度與前一種不同，因為溫度不同。

2.剛才。。。 當然，是的。

3.不，這與溶解度有關，例如 Kno3，溶解度隨著溫度的降低而降低：但想想 Ca（OH）2，隨著溫度的降低，溶解度增加，所以它不會洗掉晶體。

4.結晶的方法有很多種，但是，有兩種：一種是你說的飽和溶液，經過一定時間就會結晶，另一種叫做過飽和溶液，即溶解的溶質超過這個溫度的溶解度，就會結晶。

為什麼有些飽和溶液在析出晶體後仍為飽和溶液，而有些飽和溶液在析出晶體後仍為不飽和溶液。

這似乎不對。 在外界條件不變的情況下，沉澱結晶後的溶液是飽和的，如果不飽和，其中的晶體就會重新溶解，使溶液飽和。 除非析出後結晶被過濾掉，然後改變外部環境，否則沉澱結晶後的溶液必須飽和。

這個實驗不在《人民教育版》的書中，似乎在山東科技版的書裡，在選修課3《材料結構與效能》中。

1.實驗原理。

硫酸銅晶體是一種比較穩定的結晶水合物，當加熱到150左右時，它會失去所有的結晶水分，根據加熱前後的質量差異，可以計算出晶體的結晶含水量。

2.實驗儀器。

托盤天平、研缽、玻璃棒、三腳架、泥三角、瓷坩堝、坩堝鉗、烘乾機、酒精燈、藥匙。

3.程式。

1）研磨：在研缽中研磨硫酸銅晶體。（防止加熱過程中飛濺）。

2）稱重：準確稱量幹潔瓷坩堝的質量（wg）。

3）重新稱量：稱取瓷坩堝+硫酸銅晶體（W1G）的質量。

4）加熱：用小火慢慢加熱，直到所有藍色晶體變成白色粉末（完全失水），然後放入烘乾機中冷卻。

5）重新稱量：在乾燥器中冷卻後（因為硫酸銅具有很強的吸濕性），稱取瓷坩堝+硫酸銅粉末（W2G）的質量。

6）再加熱：將含有硫酸銅的瓷坩堝重新加熱，然後冷卻。

7）重新稱量：將含有硫酸銅的冷卻瓷坩堝再次稱量（兩次稱量誤差，托盤天平無法識別以下質量）。

8）計算：根據實驗測定的結果計算硫酸銅晶體中結晶水的質量分數。

縮寫：“一研”、“四名”、“兩熱”、“一計算”。

你不會嗎？ 選擇 C