如果您的華為手機記憶體不足怎麼辦

我覺得你可以清理這個軟體，因為這個時候，你可以直接清理記憶體。 這裡有一些無關緊要的百科全書！

一種儲存器，允許陣列中任何位置的單元以隨機順序快速寫入和讀取資料。 它是計算機儲存作業系統、應用程式和使用者資料的地方，與硬碟或其他儲存裝置不同，它允許處理器更快地獲取資料，但當計算機關閉時，儲存在 RAM 中的所有資料都會丟失。 當使用者再次開啟它時，計算機會自動將作業系統和其他檔案（通常來自硬碟）重新載入到類似人類的短期記憶中，這類似於乙個人的長期記憶。

短期記憶針對當前工作，可以同時儲存大量資料。 長期記憶可以是短期記憶，需要重新整理。 它具有以下特點：

隨機訪問。 “隨機訪問”是指在記憶體中讀取或寫入訊息時，所需的時間量與訊息所在的位置無關。 相比之下，有序列存取儲存器，包括順序存取儲存器（例如磁帶）和直接存取儲存器（例如磁碟）。

揮發性的。 斷電時RAM無法保留資料。 如果需要儲存資料，則必須將其寫入長期儲存裝置（例如硬碟）。

RAM和ROM最大的區別在於，儲存在RAM上的資料會在斷電後自動消失，而ROM則不會。

訪問速度快。

現代RAM具有幾乎所有訪問裝置中最快的寫入和讀取速度，與其他涉及機械操作的儲存裝置（例如硬碟，光碟機）相比，訪問延遲可以忽略不計。 但它仍然不如用於 CPU 快取的 SRAM 快。

現代RAM依靠電容器來儲存資料。 當電容器充滿電時，它表示 1（二進位），未充電的電容器表示 0。 由於電容器或多或少會洩漏電流，如果不進行特殊處理，電荷會隨著時間的推移逐漸丟失並導致資料錯誤。

重新整理是指給電容器充電以彌補損失的電荷。 DRAM的讀數具有重新整理功能，但一般定時重新整理不需要做完整的讀數，只需要對晶元進行一列（行）選擇，就可以重新整理整列的資料，同時可以在同一列中同時選擇所有相關的儲存晶元， 因此，在一段時間內，所有列都會逐個重新整理，並且可以完成所有記憶的重新整理。重新整理需求解釋了隨機存取儲存器的易失性。

對靜電敏感。

像其他精密的積體電路一樣，RAM對環境的靜電荷非常敏感。 靜電會干擾儲存器中電容器的充電，導致資料丟失，甚至燒毀電路。 因此，在觸控 RAM 之前，請用手觸控金屬地面。