C語言中的靜態儲存單元和動態儲存單元有什麼區別？

char sz[5];即靜態 char *psz = new char[5] 是動態靜態 5 必須測試的常量不能做變數，而動態可以是隨意的，可以是表示式或常量或變數，因為靜態的是在編譯後分配的，動態的是在執行過程中確定的; 例如，我在程式中編寫 char sz[5]; 那麼你不能在執行過程中改變這個記憶體，從執行的開始到結束，分配大小總是一樣的，如果我在程式中寫int i; cin >>i;char *psz = new char[i];程式一開始不分配大小，因為值是未知的，在我輸入值之前，他不知道分配有多大，你不能這樣寫int i; cin >>i;char sz[i];這是乙個寫錯，他會警告括號中的數字不是常量，並且必須釋放像這樣臨時分配的記憶體（在 C++ 中刪除，在 C 中為 free（））。

靜態記憶體使用堆疊空間記憶體，不需要自行分配。 另一方面，動態記憶體由程式設計師根據需要分配和回收。

這裡很清楚，我不喜歡抄襲別人的，你自己看看吧。

靜態儲存器是指依靠雙穩態觸發器的兩個穩態來儲存資訊的儲存器。 雙穩態電路是需要電源才能工作的有源器件，只要電源正常，就可以長期穩定地儲存資訊，因此稱為靜態儲存器。 如果斷電，資訊就會丟失，即易失性儲存器或易失性。

動態記憶體是指在指定功能或應用程式之間共享的記憶體。 如果乙個或兩個應用程式占用了所有記憶體空間，您將無法為其他應用程式分配記憶體空間。 儲存器控制電路需要在一定時間點重新整理儲存器，以保持資料儲存。

SRAM，無需重新整理電路，只要電源不中斷，資訊始終儲存在儲存器中;

DRAM DRAM，是需要重新整理電路的，每隔一段時間就需要重新整理一次，如果沒有操作，資訊就會丟失，我們常用的DDR、DDR2這些都屬於DRAM類。

靜電由觸發器組成，即使在斷電後也能儲存資料，動態資訊由MOS管的柵極電容儲存，不斷重新整理充電。

char

sz[5];它是靜態的。

charpsz

newchar[5] 是動態的。

靜態 5 必須嘗試不能生成變數的常量，而動態常量可以是隨意的、表示式的、常量或變數。

因為靜態的是在編譯後分配的，而動態的是在執行時確定的;

例如，我在程式中編寫 char

sz[5];然後，在執行期間無法更改記憶體，並且從執行開始到結束，分配大小保持不變。

如果我在程式中編寫。

inti;cin>>

i;char

psznew

char[i];

程式一開始不分配大小，因為值是未知的，當我輸入值時，他不知道它有多大，你不能寫那個。

inti;cin>>

i;char

sz[i];

這樣寫是錯誤的，他會警告說括號中的數字不是常數。

像這樣臨時分配的記憶體必須被釋放（在C++中為delete，在C中為free（））。

我剛剛想通了，所以如果你不能說得好，不要感到驚訝。

1，inti=3;

這個是靜態的。

2，inti=new

int;這是動態的。

程式的第一句話在編譯時分配記憶體。

當然，這也取決於定義是在函式內部還是外部。

在函式中，它是自動儲存的，即在呼叫函式時自動生成，在函式結束時使用自動儲存空間。

在函式之外（以及 static 關鍵字），它是靜態儲存，即它在呼叫程式時自動生成，並在程式結束時死亡。

使用靜態儲存空間。

第二句話是動態儲存。

程式在編譯和執行時不分配記憶體空間，僅在執行語句時分配記憶體空間。

所以它通常在之前有條件判斷或要求使用者輸入特定的資料，比如乙個動態陣列，程式設計時可能不確定它有多大，而當使用者輸入乙個確定的值時，你就知道應該定義多少動態儲存，體現指標指向c的靈活性。

c++primer

這是它的樣子。

變數正在編譯中。

當你要分配記憶體的時候，就像你去度假的時候，當你不去的時候，你每天都要去**安排指標，但是在跑步中可以做到就是分配記憶體，你可以去你想去的地方，當你在度假的時候？

c 儲存語言變數的類。

使用者在記憶體中的儲存空間分為兩部分：**區和資料區。 變數儲存在資料區，可分為靜態儲存區和動態儲存區。

靜態儲存是指在程式執行時，空眩光為變數分配固定數量的儲存空間的方式。 例如，全域性變數儲存在。

在靜態儲存區，程式執行時分配空判斷室，執行後釋放程式。

動態儲存是指在程式執行時，根據實際需要動態分配儲存空間的方式。 如表單引數被儲存。

挖掘在動態儲存區，呼叫函式時分配空間，呼叫後釋放呼叫。

2008年8月18日，IBM、AMD和紐約州立大學奧爾巴尼分校奈米科學與工程學院（CNSE）聯合宣布成功研製出全球首款22nm節點有源靜態隨機存取儲存器（SRAM）。 這也是世界上首次在300公釐的研究設施環境中宣布有效的儲存單元。 SRAM晶元是更複雜裝置（如微處理器）的“前身”。

SRAM單元的尺寸是半導體行業的關鍵技術指標。 最新的SRAM單元採用傳統的六電晶體設計，占地面積僅為一微公尺，打破了以前的SRAM規模縮小障礙。

這項新的研究工作正在紐約州立大學奧爾巴尼分校的奈米科學與工程學院（CNSE）進行，IBM和其他合作夥伴的許多頂級半導體研究都是在那裡進行的。 研發副總裁IBM Technologies博士表示：“我們正在進行可能性的終極研究，朝著先進的下一代半導體技術邁進。 這些新的研究成果對於推動微電子器件的小型化發展至關重要。

22 nm 是下一代晶元製造，而下一代是 32 nm。 在這方面，IBM 及其合作夥伴正在開發其無與倫比的 32nm High-K 金屬柵極技術。

傳統上，SRAM晶元通過縮小基本構建塊而更緊密地結合在一起。 IBM 聯盟的研究人員優化了 SRAM 單元的設計和電路圖以提高穩定性，並開發了幾種新的製造工藝來製造新的 SRAM 單元。 研究人員使用高浸入式光刻技術雕刻圖案尺寸和密度，並在先進的 300 公釐半導體研究環境中製造了這些零件。

與SRAM單元相關的關鍵技術包括邊帶高K金屬柵極、<25nm柵極長度電晶體、超薄隔離結構（間隔片）、共摻雜、先進活化技術、超薄矽化物薄膜和嵌入式銅觸點。

據悉，在2008年12月15日至17日在美國三藩市舉行的IEEE國際電子裝置（IEDM）年會上，將有乙份專題報告，介紹最新成果的細節。