無線電電晶體的機理及其原理是什麼，它的用途是什麼？

電晶體由夾在一層P型或N型二極體之間的兩個N型或P型二極體組成，分為集電極、基極和發射極。 集電極負責補充能量，基極負責觸發控制，發射器負責輸出。 由於其特殊的結構，在發射區注入的電子量是基極處電子量的幾倍，當基極訊號電流導通時，發射極電流被觸發，如基極進入乙個電子，發射極可能流出幾個或幾百個電子， 從而達到所謂的電流放大。

1）為了便於發射結發射電子，半導體在發射區的摻雜溶解度遠高於半導體在鹼區的摻雜溶解度，發射結的面積小。

2）雖然發射區和集電極區是性質相同的摻雜半導體，但發射區的摻雜溶解度高於集電區，集電結的面積大於發射結的面積，便於收集電子。

3）連線發射結和集流體結的兩個PN結的鹼區很薄，摻雜溶解度也很低。

電晶體的主要功能是電流放大，其本質是電晶體可以通過極小的基極電流變化來控制集電極的大電流。

工作原理：三極體的電流放大作用實際上是利用基極電流的微小變化來控制集電極電流的大變化。 電源UB通過電阻RB施加到發射結上，使發射結處於正位置，發射區的大部分載流子（自由電子）通過發射結繼續通過發射結進入鹼區，從而構成發射電流IE。

基區的大部分載流子也擴散在發射區，但由於大多數載流子的密度遠低於發射區的載流子，因此可以看作是主要的電子流。

在這種差異的影響下，電子擴散到基區的集電極結，並被吸收到集電極區，形成集電極電流IC。 此外，由於鹼基區較薄，電子與鹼區中的空穴結合，擴散電子流與復合電子流的比值決定了其放大效能。

電晶體符號

電晶體的文字符號在國外一般用字母QR或Q表示，在國內用VT或V表示。 三極體引數中文符號英文對比：PCM集電極最大功耗; ICM集電極的最大允許電流。

當V（br）CBO發射極開路時，集電極和基極之間的反向擊穿電壓。 當V（br）CEO基極斷開時，集電極和發射極之間的反向擊穿被加壓。 當 V（br）EBO 集電極開啟時，發射極和基極之間的反向擊穿包含頂篷電壓。

當ICBO發射極開路時，集電極與基極之間的反向字母的漏電流。