IRF630的基本引數，IRFP460的引數

基本引數。 漏極電流，內徑最大值：9A

電壓，VDS Max：200V

導通電阻，rds（on）：

電壓@RDS測量：10V

電壓，VGS 最大值：3V

功率，PD：100W

封裝型別，替代：SOT-78B

引腳間距：時間，TRR 典型值：170ns

電晶體數量：1

電晶體型別：MOSFET

全功率溫度：25°C

CISS典型值：540pf

電流，IDM脈衝：36A

表面貼裝器件：通孔安裝。

引腳格式：1G 2+ 插座 D 3S

閾值電壓。 VGS TH 最小值：2V

閾值電壓，VGS TH 最大值：4V。

漏極電流，內徑最大值：9A

電壓，VDS Max：200V

導通電阻，rds（on）：

電壓@RDS測量：10V

電壓，VGS 最大值：3V

功率，PD：100W

封裝型別，替代：SOT-78B

引腳間距：時間，TRR 典型值：170ns

電晶體數量：1

電晶體型別：MOSFET

全功率溫度：25°C

CISS典型值：540pf

電流，IDM脈衝：36A

表面貼裝器件：通孔安裝。

引腳格式：1G 2+ 插座 D 3S

閾值電壓，VGS TH 最小值：2V

閾值電壓，VGS TH 最大值：4V。

FET型別：MOSFETN通道，金屬氧化物。

導通狀態 RDS（最大值）內徑，VGS 25° C：270 mOhm 12A，10V

漏源電壓 （VDSS）：500V

電流 - 25° C 時的連續漏極 （ID） VGS（TH）：20AID（最大值）：4V 250 A 柵極電荷 （QG） VGS：

210NC 10V 輸入電容 （在 VDSS） （CISS）： 4200PF 25V 功率 - 最大：260W

安裝型別：通孔。

封裝外殼：TO-247AD

包裝：管件。

基本引數。 漏極電流，內徑最大值：9A

電壓，VDS最為顯著：200V

導通電阻，rds（on）：

電壓@RDS測量：10V

電壓，VGS 最大值：3V

功率，PD：100W

封裝型別，替代：SOT-78B

引腳間距：時間，TRR 典型值：170ns

電晶體數量：1

電晶體型別：MOSFET

全功率溫度：25°C

CISS典型值：540pf

電流，IDM脈衝：36A

表面貼裝器件：通孔安裝。

引腳格式：1G 2+ 插座 D 3S

閾值電壓，VGS TH 最小值：2V

閾值電壓，VGS TH 最大值：4V。

IRF640 採用 TO-220AB 封裝。

電晶體極性：n溝道。

漏極電流，內徑最大值：18A

電壓，VDS Max：200V

導通電阻，rds（on）：

電壓@RDS測量：10V

電壓，VGS Max：4V

封裝型別：TO-220AB

引腳數：3電源，PD：150W

封裝型別：TO-220AB

電晶體型別：MOSFET

熱阻，與外殼 a 的結點：1°C W

電壓 VGS @ RDS ON 測量：10V 電壓，VDS 典型值：200V

電流，id連續：18A

電流，IDM脈衝：72A

表面貼裝器件：通孔安裝。

閾值電壓，VGS th典型值：4V

閾值電壓，VGS TH 最大值：4V。

IRF640 採用 TO-220AB 封裝。

電晶體極性：n溝道。

漏極電流，內徑最大值：18A

電壓，VDS Max：200V

導通電阻，rds（on）：

電壓@RDS測量：10V

電壓，VGS Max：4V

封裝型別：TO-220AB

引腳數：3電源，PD：150W

封裝型別：TO-220AB

電晶體型別：MOSFET

熱阻，與外殼 a 的結點：1°C W

電壓 VGS @ RDS ON 測量：10V 電壓，VDS 典型值：200V

電流，id連續：18A

電流，IDM脈衝：72A

表面貼裝器件：通孔安裝。

閾值電壓，VGS th典型值：4V

閾值電壓，VGS TH 最大值：4V。

1. IRF640 是 Vishay 的第三代 POWER 發電產品，它為設計人員提供了快速轉換、堅固耐用、低導通電阻和高效率的強大組合。

2、TO-220封裝的IRF640一般適用於功耗在50W左右的工商業應用，而熱阻低、成本低的TO-220封裝使IRF640得到業界的廣泛認可。 採用 D2PAK 封裝的 IRF640 適用於晶元安裝，與任何其他可用的晶元封裝相比，可提供最高的功率和最低的導通電阻。 IRF640 的 D2PAK 封裝適用於大電流應用。

IRF640 的 TO-262 適用於低端通孔安裝。