MOSFET也是三極輸出，為什麼不叫三極體

二極體和電晶體稱為半導體電晶體，它是由半導體晶體製成，具有電晶體的功能，簡稱半導體管或電晶體。 依靠兩種載流子在電晶體中形成電流的雙極電晶體稱為雙極電晶體，另一種僅通過乙個載流子導電並在橫向電場控制下導通和斷開的電晶體稱為場效應電晶體，場效應電晶體按結構可分為結型場效應電晶體和MOS場效應電晶體; 根據MOS FET傳導所涉及的空穴和電子，MOS FET的兩種型別分別稱為PMOS FET和NMOS FET。 從這個角度來看，“雙極”和“單極”是指電晶體中參與導電的載流子數，就像通訊系統中“雙工”和“單工”的區別，而不是“雙結”和“單結”。

功能相似，但原理不同。

1.電晶體是雙極管，即管子工作時由兩個載流子、空穴和自由電子牽涉。

MOSFET是單極管，即管子要麼只與空穴一起工作，要麼只與導電的自由電子一起工作，並且只有一種型別。

載體。 2、電晶體是電流控制裝置，有輸入電流時就會有輸出電流。

MOSFET是電壓控制器件，沒有輸入電流，也有輸出電流。

3、電晶體的輸入阻抗小，FET的輸入阻抗大。

4.部分FET源極和漏極可以互換，但三極體的集電極和發射極不能互換。

如今，CMOS因其速度而主要用於積體電路。

早些時候，它不叫場效應電晶體，而是單結電晶體。 我記得它是在七十年代之前寫在一本書上的。

電晶體和MOSFET都可以用來做開關，那麼它們之間有什麼區別呢？

我認為它可以理解為乙個“結”。

MOSFET不能稱為電晶體。 MOSFET和電晶體的功能相似，但工作原理不同：1、三極體為雙極管，即管內有空穴和自由電子兩種載流子; MOSFET是單極管，即管子工作時要麼只有空穴，要麼只有自由電子參與導通，同時只有一種載流子; 2.電晶體是電流控制裝置，它只會有輸入電流。

1.性質上的差異。

電晶體是一種控制電流的半導體，是半導體的基本元件之一，是電子電路的核心元件。

MOSFET是壓控半導體器件，通過控制輸入環路的電場效應來控制輸出環路電流。

2.原則上的差異。

三極體發射區大部分載流子的濃度大於基區，同時基區很薄，雜質含量受到嚴格控制，因此一旦接通電源，由於發射結的正偏差，發射區的大部分載流子和基區的大部分載流子都容易在發射結上相互擴散，前者的濃度鹼大於後者，因此通過發射結的電流基本上是電子的流動。

MOSFET的工作原理是流過漏極源的溝道的ID，柵極電壓用於控制柵極與溝道之間的PN結反轉所通過的溝道的寬度，即溝道的截面積。

可以根據MOS的特性來區分：輸入阻抗高，MOSFET柵極和源極之間的PV結反轉。

SiO2 版本的絕緣層具有非常高的阻抗和高達 10,000,000 歐姆的結重。 絕緣網架型別可達 10000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000電晶體傳輸的結阻抗僅為幾千歐姆。

根據模型對比資料，可以直接看到。 而且引數也一目了然。

MOSFET是Baimos管。

直觀地確定它是哪種材料可能並不容易，因為電晶體和 MOS 電晶體都有貼片和封裝。

但是，如果發現該IC的某些引腳之間連線了電阻器，則可能是三極體的概率更高。

電晶體是電流控制型。

MOSFET是電壓控制的。

我將其與型號區分開來：

MOSFET型號，如IRF....

電晶體型號如國產：3DD，國外：2S....

FET 有兩種命名方式。

第乙個命名法與雙極三極體有關，第三個字母 J 代表結 MOSFET，O 代表絕緣柵極 FET。 第二個字母代表材料，D為p型矽，反層為N溝道; C 是 n 型矽 p 溝道。 例如，3DJ6D 是結 N 溝道 FET，3DO6C 是絕緣柵 N 溝道 FET。

第二種命名方式是CS，CS代表FET，數字代表型號的序列號，字母代表同一型號的不同規格。 例如，CS14A、CS45G等。

電晶體和MOSFET是放大和開關電路中非常常用的電子元件。

1.三極體。

電晶體的最初發明以其優異的效能迅速取代了電子管，但後來在電晶體的應用中暴露了一些先天缺陷——結構問題引起的缺陷，在這種情況下迫切需要製造一種能夠克服電晶體缺陷的電晶體，於是場效應電晶體誕生了。

2. 乙個 FET。

最讓人捧腹的是輸入阻抗極高，是三極體無法比擬的，但它的出現並沒有像電晶體消除電子管那樣完全取代三極體，它不是萬能的，在某些方面還不如三極體，所以不能籠統地說誰好誰不好。

由於FET是在三極體的基礎上發展起來的，所以在很多方面都與電晶體相似，兩者完美匹配，應用廣泛。