在放大電路中，已知如何找到電源電壓的引數，其中偏置電阻為三極體

這需要考慮電晶體的連線方法。

通常，對於常用的共發射極放大器電路，我們對其進行設計以確保最大的輸出動態。 因此，可以確定C極的電壓約為1 2 VCC，這確保了輸出的動態性達到最大。 （讓電源電壓為VCC，而熱電聯產電路在需要控制放大的情況下，變送器可以裝乙個交流反饋電阻，或在直流工作點設定乙個穩定的反饋電阻，或兩者兼而有之，這時就需要確定C極電壓是否略高於1個2VCC。

為了便於計算，可以忽略理論設計）。

確定VC的直流點工作電壓，根據後續階段所需的輸入電阻（或所需的負載電阻）確定集電極的直流負載電阻RC。 這使我們能夠計算電晶體 C 極處的直流工作電流 IC （IC VCC 2RC）。

根據三極體的值（或估計值），可以計算出三極體的基極電流ib（ic），然後就知道所需的偏置電流，並且根據您的偏置連線可以很容易地計算出偏置電阻。

它能解決你的問題嗎？

這個很複雜。 放大電路包括電壓放大電路和電流放大電路。 有三種型別的訊號源：共發射、共基和共收集。 計算方法各不相同。

1.首先，為了保證電晶體PN結的導通條件不處於截止狀態，矽材料管PN結的電位差必須大於伏特，鍺材料管的PN結的電位差必須大於伏特。

2.電流方向; 如果電流從發射極流向集電極，則集電極的電位高於發射極。

3.還需要考慮電晶體未處於電流飽和狀態。

4.電晶體功率過載等

一樓說明了一切。

為保證電晶體的PN結導通狀態不處於截止狀態，矽材料管。

各放大器的計算公式不同，以基本共注入放大器為例，簡單討論一下。

第一步，液體垂直報警根據負載電阻RL根據最大效率原理確定安培伏變換器RC，具體公式RC=RL;

第二步，根據rc、rl和rb計算基極偏置電阻rb，具體公式rb（臨界）=rc+rcrl），其中rc rl=r'l，表示RC和RL的併聯電阻，臨界表示臨界。

例如，知道 =100，RC=RL=1K，可以計算出基極偏置電阻 rbrb（critical）=100 （1k +1k 1k）=150k。

如果已知或測量，則無需調整。

不知道是否符合口味，如果有不同意見請糾正。

電流併聯負反饋電路。

負電流反饋增加輸出電阻，穩定輸出電流; 負電壓反饋降低輸出電阻，穩定輸出電壓; 串聯負反饋增加輸入電阻，併聯負反饋降低輸入電阻。

因此，應選擇負反饋電路進行電流併聯。

它應該是與電流併聯的負反饋。 看看PPT上的圖片。

呃，圖片發不出去。

電流併聯負反饋的特點是：輸入電阻小，輸出電阻大，輸出電流穩定。

由於放大倍率不確定，計算也不準確。 它通常是一種使用可調電阻器調節靜態工作電流的方法。 首先將電位器從大到小連線到指定的靜態電流。

每個放大器的設計和計算公式都不同，以基本的共注入放大器為例，我們簡單說一下。

第一步，根據負載電阻RL根據最大效率原理確定安培變換器RC，具體公式RC=RL;

在第二步中，根據 RC、RL 和 計算基數。

抗偏置電阻rb，具體公式rb（critical） = （rc+rc rl），其中rc rl=r'L，表示RC和RL的併聯電阻。

關鍵意味著關鍵。

例如，知道 =100，RC=RL=1K，可以計算出基極偏置電阻 rbrb（critical）=100 （1k +1k 1k）=150k。

如果已知或測量，則無需調整。

不知道是否符合口味，如果有不同意見請糾正。

1）您的分析[表明VCC通過偏置電阻RB向基極提供的電壓足以使電晶體導通]是正確的;

2）而那個屬於干擾資訊（沒用的）的iceo，就看你是否會被打擾了;

3）由於電晶體導通，它可能處於放大區或飽和區;

而條件：VCC>>VBE，正好說明產生的基極電流會非常大，使電晶體不可避免地進入飽和區;

但是，很明顯，這裡的提問者是不負責任的，只給乙個VCC>>VBE的條件是可以的;

通常給出VCC的具體值，並要求學生進行計算和判斷;

但是，有必要給出乙個 ICEO，它會讓人聯想到電晶體的其他引數，例如 VCEO 耐壓引數;

說VCC比VBE大得多，有什麼價值？ 100v？ 然後電晶體會被燒毀，這將是乙個屁;

<>此時發射結正偏置，集電極結反轉，標準放大狀態處於標準狀態，但該電路的靜態工作點很高，非常容易飽和。

VCC>>VBE---在計算IB0時可以忽略VBEICEO---IC可以忽略IC，因此IB*=VCC*80 100=>VCC RC=VCC電晶體工作在飽和區。

1.去掉電容器，剩下的就是直流路徑。

2.靜態值;

ib≈12/300k=

ic=βib=40*

uce=12-rc*ic=12-3*

3. 如果要UCE=6V，則IC=（UCC-UCE） RC=6 3=2MA，對應IB=IC=2 80=

ib≈ucc/rb rb≈12/

4.圖中表示飽和畸變，為了消除飽和畸變，應增加VCE，因此應增加rb。