什麼是PN結5，什麼是PN結

PN結

採用不同的摻雜工藝，通過擴散，p型半導體。

它是在與n型半導體相同的半導體（通常是矽或鍺）襯底上製造的，並在它們的交點處形成稱為pn結的空間電荷區域。 PN結是單向導電的。 P是正的縮寫，n是負的縮寫，表示正負載和負載對函式的特性。

當單晶半導體摻雜了具有受體雜質的p型半導體和具有供體雜質的n型半導體時，p型半導體與n型半導體介面附近的過渡區稱為pn結。 PN結有同質結和異質結。

雙。 使用相同的半導體材料。

由它製成的PN結稱為同質結，由兩種不同帶隙寬度的半導體材料製成的PN結稱為異質結。 另請參閱：

什麼是PN結？ 為什麼只是單向販運？ 太陽能電池的發電原理（下圖）。

p 是 positive 的縮寫，n 是 negative 的縮寫。

p型結的簡單解釋：由p型和n型半導體材料組成的半導體器件，p型和n型半導體材料相互結合的部分（過渡區）稱為p-n結。

p型半導體材料簡單解釋：在“單晶矽”材料中，通過特殊工藝摻入少量三價元素，在單晶矽內部形成“帶正電的空穴”（正電荷）;

n型半導體材料的簡單解釋：在“單晶矽”材料中，通過特殊工藝摻入少量五價元素，在單晶矽內部形成“帶負電荷的自由電子”（負電荷）。

至於什麼是三價元素和五價元素，請參考相關的化學資料，這裡不再贅述。

PN結形成過程的簡單解釋：

P型材料大部分是可移動的正電荷和少數固定的負電荷（負離子）; N型材料大部分是可移動的負電荷和少量的固定正電荷（正離子）。

當p型和n型材料接觸時，正電荷通過結從p型半導體擴散到n型半導體，負電荷從n型半導體擴散到p型半導體。 正電荷和負電荷相遇結合，原來的正負電荷（載流子）消失。 因此，在結（結區）附近區域存在一段距離，那裡缺乏正電荷或負電荷（載流子），但該區域分布著帶電的固定電荷（不動的“負離子”或不動的“正離子”），稱為空間電荷區。

p型半導體一側不參與擴散的“負離子”和n型半導體一側不參與擴散的“正離子”在空間電荷區產生電場，該電場阻止載流子進一步擴散並達到平衡。

PN結是半導體中非常重要的結構使用不同的摻雜工藝，通過擴散在同一半導體（通常是矽或鍺）襯底上製造p型半導體和n型半導體，並在它們的介面處形成空間電荷區。

從P-N結的形成原理可以看出，要使P-N結導電形成電流，必須消除空間電荷區內電場的電阻。 顯然，在相反方向上增加較大的電場，即將外部電源的正極連線在P區和負極在N區，可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續移動，從而形成線性正向電流。

施加的反向電壓相當於內建電場的更大電阻，p-n結無法導通，只有非常微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，由於少數載流子數量有限，電流飽和）。

當反向電壓增加到一定值時，由於幾噸的數量和能量的增加，會碰撞並破壞內部共價鍵，從而釋放出原來束縛的電子和空穴，電流會繼續增加，最終PN結會被擊穿（成為導體）並損壞， 並且反向電流會急劇增加。兇猛的蝗蟲。

PN結的形成：

p型半導體和n型半導體結合後，由於n型區域的自由電子很多，空穴幾乎為零，所以被稱為少，而p型區域的空穴多，自由電子少，電子和空穴在結處存在濃度差異。 由於自由電子和空穴濃度的差異，一些電子從n型區域擴散到p型區域，一些空穴必須從p型區域擴散到n型區域。

由於它們的擴散，p 區的一側失去空穴，留下帶負電的雜質離子，而 n 區失去電子，留下帶正電的雜質離子。 開路中半導體中的離子不能任意移動，因此不參與導通。 這些不動的帶電粒子在p區和n區之間的介面附近形成乙個空間電荷區，空間電荷區的厚度與摻雜劑的濃度有關。

使用不同的摻雜工藝，p型半導體和n型半導體通過擴散在同一半導體（通常是矽或鍺）襯底上製成，並在它們的介面處形成空間電荷區，稱為pn結。 PN結是單向導電的，是電子技術中許多器件的物質基礎，例如半導體二極體和雙極電晶體。

p-n結由緊密接觸的n型摻雜區和p型摻雜區組成，其接觸介面稱為冶金結介面。 [3]

在乙個完整的矽片上，採用不同的摻雜工藝，一面形成n型半導體，另一面形成p型半導體，我們稱兩個半導體介面附近的區域為p-n結。

p型半導體和n型半導體結合時，介面處的載流子濃度存在差異，因此電子和空穴都必須從濃度高的地方擴散到濃度低的地方。 然而，電子和空穴都帶電，並且由於它們的擴散，p區和n區中的原始電中性條件被破壞。 由於空穴的損失，p區的一側留下了不動的負離子，n區的一側由於電子的損失而留下了不動的正離子。

這些不動的帶電粒子通常被稱為空間電荷，它們集中在p區和n區的介面附近，形成乙個非常薄的空間電荷區，這就是我們所說的p-n結。

什麼是PN結？ 也就是說，當p型半導體和n型半導體一起製造時，p型半導體是正電的，而n型半導體是負電的。 p形半導體中的空穴會擴散到n形半導體上，n形半導體中的電子會擴散到p形半導體上，從而形成空間電荷區。

物理教科書說，正連線會削弱p-n結產生的內部電勢，因此可以通電。 我的理解：從電源負極出來的電子將半導體n段中相對自由的電子擠壓到下乙個原子的控制範圍內，而下乙個原子攜帶的相對自由的電子被擠壓到下乙個原子的控制範圍內，以此類推， 這個過程一直發展到電子到達位於由於擴散效應而形成的N段中的空穴，電子填充空穴，形成我在上圖中畫的形式，即沒有PN結的半導體，然後電源繼續通電。電子來到位於p端的空穴，空穴乙個接乙個地被填滿，當p端的空穴被填滿時，電子回到電源的正極，從而形成電流， （問題1）我的理解正確嗎？

反向通電見下圖，電子從負極出來到半導體的p端並填充空穴，電源正極形成的勢能吸入位於半導體n端的電子，p端空穴被填滿， 並且 N 端電子被排空。這樣，原來的 p 端就變成了乙個新的 n 端，因為空穴被填滿了，原來的 n 端由於電子（自由電子，n 端是 n 端電子）而被排空，形成乙個新的 p 端，這就是我畫的圖的頂圖？ 那不是也能導電嗎？

我的理解一定有嚴重的錯誤，請回答您的問題。

什麼是PN結如下所述：

使用不同的摻雜工藝，通過擴散在同一半導體（通常是矽或鍺）襯底上製造p型半導體和n型半導體，並在它們的介面處形成稱為pn結的空間電荷區域。

PN結是單向導電的。 p是positive的縮寫，n是negative的縮寫，表示正載荷和載荷對函式的特性。

當單晶半導體摻雜了具有受體雜質的p型半導體和具有供體雜質的n型半導體時，p型半導體與n型半導體介面附近的過渡區稱為pn結。 PN結有兩種型別：同質結和異質結。 由相同半導體材料製成的PN結稱為同質結，由兩種具有不同帶隙寬度的半導體材料製成的PN結稱為異質結。

PN結的製造方法包括合金法、擴散法、離子注入法和外延生長法。 異質結通常是通過外延生長製造的。

P型半導體（P指正、帶正電）：它是由少量的三價元素摻雜單晶矽，經過特殊工藝，會在半導體內部形成帶正電的空穴;

N型半導體（n指負極、帶負電荷）：它是由單晶矽與少量五價元素混合，經過特殊工藝，在半導體內部形成帶負電荷的自由電子。

在p型半導體中，有許多帶正電的空穴和帶負電的電離雜質。 在電場的作用下，空穴是可移動的，而電離的雜質（離子）是不可移動的。 n型半導體中有許多可移動的負電子和固定的正離子。

當p型和n型半導體接觸時，介面附近的空穴從p型半導體擴散到n型半導體，電子從n型半導體擴散到p型半導體。

空穴和電子相遇並重新結合，載流子消失。 由於介面附近的結區缺乏載流子，因此空間中分布著帶電的固定離子，稱為空間電荷區。

鍺、矽、硒、砷化鎵等物體，以及許多金屬氧化物和金屬硫化物，其導電性介於導體和絕緣體之間，稱為半導體。

半導體具有一些特殊效能。 例如，半導體的電阻率與溫度的關係可以用來製造熱敏電阻（熱敏電阻）進行自動控制; 其感光性和特殊的圓形挖掘效能可用於製造用於自動控制的光敏元件，如光電管、光電管和光敏電阻等。

半導體還具有最重要的特性之一，如果將微量雜質適當地摻入純半導體物質中，其電導率將增加數百萬倍。 這一特性可用於製造各種用於不同用途的半導體器件，例如半導體二極體、電晶體等。

如果將半導體的一側製成p形區域，將另一側製成n形區域，則在結附近形成具有特殊效能的薄層，通常稱為pn結。 圖的上半部分顯示了p型半導體橙色耐火材料與n型半導體之間介面兩側載流子的擴散情況（用黑色箭頭表示）。 中間部分顯示了p-n結的形成過程，表示載流子的擴散大於漂移（藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。

下部是PN結的形成。 表示擴散和漂移的動態平衡。