華為宣布多晶元疊加專利，美國完全失算！ 中國晶元的“春天”來了嗎？

不能說中國晶元的春天來了，只能說短期內歐美國家對中國晶元的限制將大大減弱。

中國晶元的發展正在有序進行，但對於目前的現狀，歐美國家不願意看到。 歐美國家更願意看到的是，中國的晶元產業鏈受到嚴重限制。 只能單靠國外進口來滿足國產晶元的需求，所以中國的晶元產業鏈被完全封鎖了。

華為已公布多項晶元研究專利，在所有晶元研究專利中名列前茅。 華為的多晶元疊加專利是一項非常重要的科研技術。 由此可見，美國的算計失敗了。

華宇公司發明的晶元疊加技術，可以在很大程度上突破當下的技術堡壘，真正達到彎道超車的目標。 但就個人而言，華為的晶元真的很強大。 但是，在一些方面取得突破還存在很大困難。

雖然中國的晶元在不斷完善，華為也公布了疊加晶元技術的最新研究。 但不能歸咎於中國的晶元，這將迎來春天，這樣的說法並不嚴謹和不合理。 事實上，中國晶元一直受到限制。

晶元的研究與其他技術突破有很大不同，在某些方面很難真正實現突破。 <>

中國的晶元雖然受到限制，但在很大程度上受到了打壓和制裁。 但我們不能就這樣放棄，因為我們是乙個人口眾多的國家。 每年都需要大量晶元進口到歐美國家，如果晶元領域受到制裁，下單的影響非常嚴重。

因此，我們不能放棄對晶元的研究，在目前的困境下，我們應該迎難而上。 <>

那肯定是要來的，我知道中國晶元一定有這麼一天，外國人一定猖獗了很久。

我覺得中國的晶元越來越好，技術也越來越先進，在世界上也佔據了一定的地位，這也是我們的福音，讓我們更有成就感。

據國家智財權局訊息，今天，華為技術有限公司****“晶元堆疊封裝結構及封裝方法，電子器件”專利公布出版編號CN114450786A。

專利摘要表明，該申請涉及電子技術領域用於解決如何可靠地將多個子晶元堆疊單元粘接到同乙個主晶元堆疊單元上的問題

根據專利檔案，晶元堆疊封裝結構包括匹配：

主切屑堆垛單元具有多個主管腳，位於第一表面絕緣且間隔開來;

第一粘結層，設定在第一表面上; 所述第一鍵合層包括多個絕緣且間隔間隔的鍵合元件;

所述多個粘接部件中的每乙個均由至少乙個粘接截面組成，且任意兩個Sepai粘接截面為絕緣且任意兩個粘接截面面積相同; 多個鍵合元件與多個Peihuikai主引腳鍵合;

多個子晶元堆疊單元設定在第一鍵合層表面，遠離主晶元堆疊單元的側面;

子晶元堆疊單元具有多個微凸塊，這些微凸塊是絕緣的，間隔間隔; 多個微凸塊中的每乙個都粘合到多個粘接元件之一上。

華為的新專利在各國引發了熱議

據報道，華為宣布已成功獲得石墨烯電晶體專利，該專利也涉及半導體領域，這些技術的出現標誌著中國晶元研究進入了乙個新階段。

石墨烯電晶體在石墨烯晶元的發展中起著至關重要的作用，石墨烯電晶體可以提高電子傳輸的速度，同時有效增加晶元元件和器件的輸出電阻，從而最大限度地提高射頻效能。 而石墨烯晶元獨特的結構，可以使雕刻呈現出立體的風格，這也大大提公升了晶元的效能，如今華為已經宣布該技術的專利申請已經成功，這無疑是國產晶元的新開始。

石墨烯晶元意義重大

石墨烯晶元的出現，很可能完全推動中國半導體晶元的進一步發展，而這項技術被中國掌握，也將成為中美科技對決中的“重大**”。 要知道，市面上最常見的傳統晶元都遵循乙個定律——摩爾定律，早在半導體晶元研發出來之後，研發晶元的工程師們就曾預測，每18-24個月，在州立高中畢業後，積體電路上能容納的元器件數量就會翻一番， 並且效能將翻倍。

這種預測就像是對傳統晶元的詛咒，這意味著當乙個積體電路上可以容納的元件數量達到一定值時，傳統晶元就很難有發展的未來。 隨後石墨烯晶體的發現提供了一種新的思維方式，但將想法變為現實的過程非常困難，美國還沒有破解這項技術。

半導體晶元將迎來改革

除了中國的石墨烯技術外，2020年5月，北京大學團隊創造了一種高純度的碳奈米管陣列，其執行速度更快，能耗比國外更低，相比能耗降低了30%。 據悉，由於其優異的效能，碳奈米管陣列可以應用於更多的領域，不僅在人工智慧、衛星定位等方面，而且在醫療裝置、國防科技方面也有很大的用處。

有專家**這種具有更高載流子遷移率和穩定性的碳奈米管陣列很可能取代傳統的矽片，而石墨烯材料的出現為中國晶元鋪平了道路，中國勢必成為這一領域的領跑者。

儘管中美兩國在晶元技術製造產業上仍存在不可逾越的差距，但中國的晶元研發技術一直名列前茅。 相信隨著越來越多的技術突破，中國也將在晶元製造產業上取得進步，屆時中國將建立自己的晶元產業鏈，美國將不再能夠用同樣的手段來限制中國。

近日，華為披露了一項新專利。 該專利由華為技術有限公司公布，專利名為“晶元、晶元製造方法及電子裝置”，專利號為CN113113367A。

然而，這項專利不是核心架構等，但它對晶元也至關重要。 根據奇查查的專利摘要，該專利屬於晶元散熱雀爐技術領域。 包括乙個外殼、多個矽片和多個導熱片，導熱片和矽片在同乙個殼中，其原理是通過在相鄰的兩個矽片之間安裝導熱片，將矽片上的熱量傳導到熱拆解片上， 可以降低矽片上的溫度，提高晶元的散熱能力，從而避免矽片上大量熱量積聚，晶元燒壞的情況。

換言之，該專利可能是一種用於晶元的多層封裝技術，其中多層半導體由導熱片冷卻，半導體和導熱片都封裝在單個外殼中。