記憶體的結構，儲存結構有哪些型別？

儲存結構為：

（這組儲存單元可以是連續的，也可以是不連續的）。

示例：鏈。 示例：陣列、鏈。

示例：線索樹。

4. 雜湊。 儲存：分散的純知識列儲存，又稱雜湊儲存，是一種試圖在資料元素的儲存位置與金鑰碼之間建立對應關係的搜尋技術。

示例：堆疊（順序或隨機）。

在順序儲存中，每個儲存空間都包含儲存元素本身的資訊，元素之間的邏輯關係就是線性表的順序儲存，簡單用陣列下標位置計算，如果對應陣列中儲存的元素的下標位置是 i，那麼它在對應陣列中的前乙個元素就是 i-1 的下標位置， 它在相應陣列中的後繼元素是 i+1。

在鏈式儲存結構中，儲存節點不僅包含元素本身的資訊，還包含元素之間的邏輯關係資訊。

在資料的順序儲存中，由於可以簡單地計算每個元素的儲存位置，因此訪問這些元素的時間是相同的。

在資料的鏈結儲存中，由於每個元素的儲存位置都儲存在其前體節點或後繼節點中，因此只有在訪問其前體節點或後繼節點時，指標才能訪問它，並且訪問任何元素的時間都與元素節點在鏈儲存結構中的位置有關。

d. 記憶體部件。

構成儲存器的儲存介質的主要缺點是使用半導體器件和磁性材料。 儲存器的最小單元是雙穩態半導體電路或CMOS管或可以儲存二進位**的磁性材料的儲存元件。

乙個記憶單元由幾個儲存元件組成，然後由許多記憶單元組成乙個記憶單元。 儲存器結構在MCS-51系列微控制器中，程式儲存器和資料儲存器相互獨立，物理結構也不同。

記憶是可以存放幾英畝早期立場的地方。 它使用級別來儲存資料，也就是說，它實際上儲存了級別的高低，而不是我們習慣假設的數字 1234。

乙個記憶體就像乙個小抽屜，乙個小抽屜有八個小網格，每個小網格都是用來儲存“電荷”的，電荷通過連線它的電線傳輸或釋放，至於電荷是如何儲存在小網格中的，我們不必擔心，你可以把電線想象成一根水管， 小網格中的電荷就像水一樣，那麼就很容易理解了。記憶體中的每個小抽屜都是儲存資料的地方，我們稱之為“單元”。

每個單元上都有一條控制線，我想把資料放到哪個單元，只要給這個單元的控制線乙個訊號，這個控制線就會開啟開關，讓電荷可以自由流動，而其他單元的控制線上沒有訊號，所以開關不開， 它不會受到影響，因此只要控制不同單元的控制線，就可以將不同的資料寫入每個單元，同樣，如果要從乙個單元獲取資料，只需要開啟相應的控制開關即可。

記憶體是現代資訊科技中用於儲存資訊的儲存裝置。 這個概念很寬泛，有很多層次，在乙個數字系統中，只要二進位資料可以儲存就可以儲存; 在積體電路中，具有儲存功能但不具有物理形式的電路也稱為儲存器，如RAM、FIFO等; 在系統中，具有物理形態的儲存裝置也稱為儲存器，如記憶體模組、TF卡等。 計算機的完整配置檔案資訊，包括輸入的原始資料、電腦程式、中間和最終執行結果，都儲存在記憶體中。