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我不同意我在樓上說的,p=ui 是真的,但有乙個最原始的公式是 p=i 平方 * r。 所以,一旦你的 r 變小,你的 i 就會以平方關係上公升。 因此,如果電阻越小,產生的熱量就越多,但前提是您有足夠的功率來為電阻器供電。
電阻器的實際功率不能超過電阻器的標稱功率。 你可以買那些金屬封裝的電阻器,那些電阻器的功率可以達到50W,而且電阻器也很小,但是如果你在額定功率下使用它們,它的溫度可以達到非常高(我試過了,大約是80到100度),而且不會燒壞。
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微型熱敏電阻鉑電阻體積小,速度快。
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如果電阻小,很難快速公升溫,根據p=u2 r,可以知道,如果要快速公升溫,必須在電阻的兩端增加高電壓,一般的加熱阻力是高電阻。
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就是大電阻產生的熱量多,小電阻發熱少,加熱電纜的冷熱電阻不同,熱電阻較大。
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該導線是熱敏電阻源。
常溫下電阻很小,當電流為220V時,電流會很大,立即發熱,電阻會迅速增大。 當熱量達到一定程度時,當然電阻也會大到一定程度,電流會下降到一定值。 它將達到穩定狀態,即每公尺 17 瓦。
當然,這是常溫下的資料,如果在低溫環境下瓦數會增加,絕緣效果好時瓦數會變小。
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呵呵,很簡單。 電阻越小,功率越大。
冪的基本公式是 p=u*i
市電電壓為220V,基本固定。 電阻器重量越大,電流越小,相應的功率越小。
至於 p=u2 r p=i2r,根據歐姆定律,這兩個公式都是它的變形!
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很難說你這裡有問題,呵呵,發燒是自給自足的。
電阻絲在電纜時外包。
BaiduVC,熱量的溫度不高,路徑不代表至量計,沒有電阻,與路徑DAO相反的是開路。 下面這個問題不好回答,我的知識很淺,我認為在一定的電阻範圍內是電阻小發熱大,但電阻像銅線一樣小,這是另一回事了。
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任何電線都有電阻,而你的儀表檔位太高,所以最好使用 x1 檔位,電阻一般可以測量。
如果電阻小,則電流強,發熱量大。
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1.任何導體都會有電阻,有些導體的電阻很小,這是正常的。 DAO 測量版本沒有電阻。 只是你的測量儀器的檔位選擇不同,結果也不同。
2.根據焦耳定律,當任何導體通過電流時都會產生電熱。 這是導體加熱。
3.由於電壓固定在220V,根據Q=W=(U2 R)*t,可見電阻越小,在一定時間內電阻公升溫越大。
希望對你有所幫助。
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有電阻,儀表檔位太高。 阻力小,熱量大。
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電阻越小,產生的熱量就越多,但同時,電流也越大,電流太大而不能短路。
它絆倒了。 這將是危險的。
簡單來說,電流限制下的電阻越小越好。 但具體需要計算和論證,不能亂來。
看p的大小是對的,功率p越大,加熱越快。 兩個公式,電壓不隨第乙個變化是正確的,因為 i=u 是,代入第二個公式,是第乙個公式。
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這取決於材料的電阻,因為各種物質的電阻率p與溫度有關,所以各種導體的電阻也隨著溫度的變化而變化,一般金屬導體的電阻隨著溫度變化的增加而增加,少數合金的電阻不隨溫度而變化, 半導體的電阻隨溫度變化而增大和減小。
其中 0 為 0; 是電阻的溫度係數; 溫度 t 的單位是攝氏度。 半導體和絕緣體的電阻率與金屬的電阻率不同,它們不隨溫度線性變化。
當溫度公升高時,它們的電阻率急劇降低。 表現出非線性變化。 電阻率的倒數 1 稱為電導率,用 表示。
它也是描述導體電導率的引數,其 SI 單位制 (SI) 是西門子儀表 (S m)。
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答案:c
金屬導體的電阻隨著溫度的公升高而增加。
有許多絕緣子在高溫下失去絕緣,但絕緣度仍低於 100;
半導體的導電性隨著溫度的公升高而增加,可以製成熱敏電阻;
超導體只有在溫度接近零下 273 攝氏度時才具有超導性。
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c 半導體。
半導體通常具有負溫度特性。
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實際上,這應該根據不同的型別具有不同的特徵。 但是,對於單獨的主題,應選擇 C。 有些話題就是這麼奇怪。
這是乙個“行電阻器”,其中整合了 8 個具有相同電阻值的電阻器。 八個電阻器中的乙個連線在一起,這個連線是左側用點標記的第一隻腳。 如圖所示。 >>>More
黑色 0、棕色 1、紅色 2、橙色 3、黃色 4、綠色 5、藍色 6、紫色 7、灰色 8、白色 9、 四環電阻的第一位和第二位是有效值,第三位是放大倍率,第四位是誤差,誤差基本上是金的,也就是5%,比如乙個電阻的第一圈是綠色的, 第二環是棕色的,第三環是紅色的,第四環是金色的,所以這個電阻的電阻值是51*100=5100歐姆=誤差5%。 >>>More
它是利用高溫真空鍍膜技術,將碳緊緊地附著在瓷棒表面形成碳膜,然後用適當的接縫切割,並在其表面塗上環氧樹脂進行密封和保護。 其表面通常塗有綠色保護漆。 碳膜的厚度決定了電阻的大小,電阻通常通過控制薄膜的厚度和缺口來控制。