應變片有哪些種類，電阻應變片有哪些分類

點焊應變片（智慧型） 用途：

應變片主要採用點焊安裝，也可以用環氧樹脂或其他高強度粘合劑粘接到被測物體（鋼或混凝土）表面。

點焊應變片採用振動絲原理進行測量：在兩個安裝塊之間張緊一根鋼柱，並將安裝塊焊接在被測鋼件的表面上。

當被測物體變形時，會帶動點焊應變片變形，變形通過前後端閥座傳遞到振動絲上，振動絲應力的變化就會發生變化，從而改變振動絲的振動頻率。 電磁線圈激勵振弦並測量其振動頻率，頻率訊號通過電纜傳輸到讀數裝置，以測量被測結構的應變。

振弦曲面應變片（引數識別） 用途：

VWS-10F振動絲麵應變片適用於長期敷設在水工結構或其他結構的表面，測量結構表面的應變，並可同時測量敷設點的溫度。

振弦曲面應變片彈性模量小，與被測結構配合好，測量時不會干擾原有應力場，並包含全不鏽鋼結構，安裝簡單，使用可靠，可重複使用。 振弦曲面應變片具有智慧型識別功能。

振動絲嵌入式應變片（引數識別） 用途：

VWS振動絲應變片適用於水工結構或其他混凝土結構中的長期埋設，測量結構的內部應變，並可同時測量埋設點的溫度。

根據被測應變隨時間變化的速度分為靜電阻應變片和動阻應變片兩大類。 在動態電阻應變片中還有一類超動態電阻應變片。 靜態電阻應變片通常測量不會隨時間變化或隨時間緩慢變化的應變。

早期，靜態應變片依靠測量點的手動轉換，天平和讀數的手動調整，後來發展成為數顯靜態應變片，自動調節天平，自動轉換測量點，自動顯示監控，列印和儲存。 而從應變測量到電壓、溫度等引數的測量，它被稱為資料採集儀器或應變數字測量系統。 動態電阻應變片已從多通道模擬訊號輸出發展到數字動態應變片和數字動態資料採集系統。

目前，已在國內研製開發了多種靜態和動態應變測量儀器和資料採集系統。

電氣應變片應用最廣泛，它使用的電路可以是直流電橋、交流電橋或電位器，應用最廣泛的是帶載波放大器的交流電橋電路。 帶交流電橋電路的應變片由電橋、放大器、相敏檢測器、濾波器、振盪器和電源部分組成。

電橋：將應變片的電阻變化轉換為電壓或電流訊號，以便放大器可以放大它。 通常電橋由頻率為500 Hz 50 kHz的正弦振盪器供電，測得的低頻應變訊號調製較高頻率的電橋電壓幅值，輸出窄頻調幅波訊號。

放大器：放大電橋輸出的微弱訊號，無失真，並以足夠的功率推動指示器和錄音機。 為了提高放大器的穩定性，一般採用交流載波放大器，直流放大器僅用於超動態應變片。

相敏檢測器：將調幅波恢復到被測應變訊號波形，同時反射被測應變訊號的方向，通常使用環形相敏檢測器。

濾波：濾除相敏檢測器輸出訊號中的高次諧波成分，得到理想的輸出波形。

其中使用的應變片體積小，微型箔應變片可以在工程中被視為“點”的小區域內測量應變。

應變範圍：30000

解像度：1

精度：滿量程。

平衡範圍：滿量程。

電橋電壓：DC2V

零點漂移：1小時。

測試點：64

測量方式：自動、手動。

應變片電阻：50 10000

應變片靈敏度係數：

工作溫度：-10 +50。

工作濕度：85%RH（無冷凝）。

電源：AC220V 10% 50Hz

應變片通常也稱為電應變片。 有線應變片、箔片應變片、半導體應變片等 電阻值隨變形而變化的應變片沿規定方向附著在試樣表面，應變片的電阻值因試樣表面的應變而變化。

高靈敏度振鏡用於測量電阻值的變化。 並使用它來推導應變值的幅度變化。 應變片廣泛用於材料力學效能的測試，例如材料拉伸模量的測定，這是通過計算施加的載荷和附著在試樣表面的應變片測量的應變值來計算的。

用於測量機械零件、部件或試樣應變的儀器。 應變片用於測量材料和結構的靜態和動態拉伸和壓縮應變，以及材料和結構中任何一點的應變，用於實驗應力分析以及靜態和動態強度的研究。 例如，在機械工業中，它可用於測量渦輪葉片、鍋爐結構或內燃機氣缸的應力。

如果應變片配備了相應的感測器，它還可以測量力、質量、壓力、位移、扭矩、振動、速度和加速度等物理量及其動態變化過程，也可以用作無損應變測量和檢查。

金屬應變片的工作機理就是所謂的幾何效應：當應變片被拉長時，其截面積減小，導致電阻增加。 金屬應變片主要由康銅等Cu-Ni合金製成，通常具有彎曲的帶狀結構。

該應變片具有更高的靈敏度和更大的電阻，功耗更低。

除了幾何效應外，半導體應變片的工作機理也比壓阻效應更重要：當應變片拉長或縮短時，半導體的載流子遷移率發生變化，導致電阻發生變化。 半導體應變片主要由SI製成，常採用擴散或離子注入結構，與IC工藝相容。

該應變片具有良好的溫度穩定性、更好的線性度、更大的應變範圍和柔韌性（例如，易於粘附在曲面上）。 為了提高靈敏度和線性度，常採用p型半導體（不使用n型半導體）; 此外，為了提高溫度穩定性，經常使用高摻雜半導體（1020cm-3），但靈敏度應被視為一種折衷方案。

在應力作用下，應變片的長度l、面積a和電阻率都會發生變化，從而引起電阻r的變化，其電阻變化率為。

r/r = (δl/l)-(a/a)+(/ρ) = e(1+2n+p)

其中 E=δl L 是應變，n 是泊松比，p 是表徵壓阻效應幅度效能的引數（稱為規範因子，p = （δ） （δl l））。

根據半導體的壓阻效應，對於p型Si的[110]晶體取向的壓阻應變片有δ l y el，則得到以下

p = (δr/r)/(δl/l) ≈/ρ)/e ≈ y σl

其中 l 是縱向（沿 [110] 晶體方向）的壓阻係數，y 是楊氏彈性模量。

在一定應變下，電阻變化越大，應變計的靈敏度越高，因此單位應變處的dr r可以定義為應變靈敏度g，即存在：

g = (δr/r)/e = 1+2n+p

壓力因子p越大，壓阻式應變片的靈敏度越高。 對於P型Si[110]壓阻式應變片，由於L 72 10-11Pa-1，Y 170 GPA，則得到P 122在金屬壓阻式應變片的情況下，壓阻應變片的係數非常小，只有p。 因此，可以看出，半導體壓阻式應變片的靈敏度遠高於金屬應變片。