半導體在不同方向上的電導率是否相同？

這是一樣的。 物體傳導電流的能力稱為電導率。 各種金屬的電導率各不相同，一般銀的導電性最好，其次是銅和金。

固體的電導率是指電子或離子在電場作用下在固體中的遠端遷移，通常以一類電荷載流子為主，如：電子導體，以電子載流子為主體的導電; 離子傳導，以離子載體為主體的傳導; 具有載流子電子和離子的混合導體。 此外，有些電現象不是由載流子遷移引起的，而是由電場引起的固體極化引起的，如介電現象和介電材料。

物體的導電能力：一般來說，金屬、半導體、電解質溶液或熔融電解質，以及一些非金屬都可以導電。 非電解質物體的導電能力取決於其原子外殼中的自由電子數和晶體結構，例如，金屬如果含有大量的自由電子，則容易導電，而大多數非金屬由於自由電子數量少而不易導電[1]。

石墨導電，而金剛石不導電，這是由於它們不同的晶體結構。 電解質是導電的，因為離子化合物溶解或熔化產生陰離子和陽離子，使它們導電。

中文名。 電導率。

外文名。 導電性意義。 傳導電流的物體的特性。

材料。 一些金屬、半導體、電解質溶液。

快。 導航。

非導電固體分析導電引數。

理論。 最早的金屬電導率理論是特魯德-洛倫茲理論，它基於經典理論。 假設金屬中存在自由電子，它們與理想氣體分子一樣，服從經典玻爾茲曼統計，並且在平衡條件下，它們處於恆定運動狀態，但平均速度為零。

在存在外部電場的情況下，電子沿電場力的方向獲得加速度a，產生定向運動，電子通過與構成晶格的離子碰撞而失去定向運動，從而實現能量交換，因此在一定的電場強度下存在平均漂移速度l[2]。 根據經典理論，自由電子對金屬熱容的貢獻應該與晶格振動的熱容相當，但實驗上沒有觀察到，在認識到金屬中的電子應該服從量子費公尺統計定律之後，這個矛盾才得到解決。 也正是為了解決這一矛盾，結合量子力學的發展，我們開始系統地研究電子在晶體週期場中的運動，從而逐步建立了能帶理論。

根據能帶理論，在嚴格週期勢場中運動的電子保持本徵態，電子運動不被“抵抗”，但當原子振動、雜質缺陷等原因使晶體勢場偏離週期場時，電子運動發生碰撞和散射，從而正確解釋晶體中電子的自由程。

半導體的導電性比導體弱，具體如下：

1、半導體的導電性與導體不同，半導體的導電性比導體弱，但比絕緣體或雙極導電性強。 在能帶結構模型中，金屬的電導率由費公尺能級附近電子的遷移率決定。 半導體的電導率由價帶頂部附近的空穴和導帶底部的電子的共同遷移率決定。

2、電子和空穴的有效質量不相等，同波段的電子和空穴的有效質量相等; 我的意思是，導帶電子的有效質量不等於價帶空穴的有效質量，因此兩者的電導率將分開討論。 半導體的導電性比導體弱，半導體只在熔融狀態下導電。

3.當機械溫度為零時，理論上價帶中的電子佔據所有位置。 在外部電場的作用下，不會發生位置偏移，也不會產生電流。 在帶隙中，沒有電子，也沒有產生電流。

從理論上講，電流的產生取決於導帶。 半導體的導帶中沒有電子。 當價帶中的電子吸收能量時，它們會跳到導帶。

價帶上也會有孔。 在外部電場的情況下，它們將轉化為導帶中的電子和價帶中的電子。

4.導體中的價帶電子不是萬能的，它們在外場的作用下直接產生電流。 以上是乙個簡單的概念。 半導體中的電子-空穴傳導與導電金屬中的電子傳導之間的根本區別不考慮缺陷等的影響。

對於理想的材料，電導率取決於電導率中涉及的數量和遷移率。 因此，很容易觀察半導體和金屬的電導率。

5.參與傳導的載流子數量包括電子和空穴。 一般來說，金屬的載流子比半導體多得多，尤其是該證書的導體。 金屬具有電子導電性，質量低，遷移率高，而半導體具有低空穴遷移率。

半導體和金屬導體在導電機理上的區別是：半導體中存在自由電子和空穴兩種粒子，它們攜帶電流，使半導體導電; 金屬導體內部有大量的自由電子可以自由移動，這些自由電子在電場力的作用下定向移動，形成電流，使金屬能夠導電。

離子晶體不導電，熔化或溶解在水中時會導電。 在離子晶體中，離子鍵很強，離子不能自由移動，也就是說晶體中沒有自由移動的離子，因此離子晶體不導電。 當離子化合物溶解在水中時，陰離子和陽離子在受到水分子的影響後成為自由移動的離子（或水合離子），在外界電場的作用下，陰離子和陽離子定向移動並導電。

1.N型半導體。

N型半導體彎曲導體也稱為電子型半導體。

即自由電子。

雜質半導體的光束濃度遠大於空穴濃度。

形成原理。 摻雜和缺陷都會導致導帶。

介質中電子濃度的增加。 用於鍺、矽半導體材料。

摻雜基團元素，當雜質原子以取代方式取代晶格中的鍺和矽原子時，它們可以提供滿足差異的共價鍵。

配位之外的額外電子，形成半導體中導帶電子濃度的增加。

2.P型半導體。

P型半導體一般是指空穴型半導體，主要是帶正電的空穴導電半導體。

編隊。 P型半導體是通過在純矽晶體中加入三價元素（如硼）來代替矽原子在晶格中的位置而形成的。 在p型半導體中，空穴多，自由電子少，主要依靠空穴導電。 由於p型半導體中的正電荷量。

它等於負電荷的量，因此p型半導體是電中性的。 空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

導電半導體有兩種型別，分別是p型半導體和n型半導體。 它們的傳導型別因雜質離子的不同而不同。

在半導體製造中，為了增加其導電性，通常會有意將一些雜質元素摻入半導體晶體中。 這種方法稱為摻雜。

當摻雜硼、鋁等三價元素時，它們缺電子，帶一些正電荷，會與矽、鍺等半導體中原有的四價元素共價鍵合，從而形成空穴，在半導體中，空穴相當於缺電子位置，可以看作是帶正電的粒子。 至此，半導體演變為p型半導體。

當摻雜磷、砷等五價元素時，它們的電子都過多，所以會有更多的安靜電子，這些多餘的電子會與半導體原有的四價元素形成共價鍵，如矽、鍺等，從而形成額外的電子。 至此，半導體演變為n型半導體。

在p型高導程半導體中，電流主要由空穴貢獻; 在n型半導體中，電流主要由外來自由電子貢獻。 在半導體器件中，p型半導體和n型半導體是實現各種工作思路的重要基礎。

鍺、矽、硒、砷化鎵等物體，以及許多金屬氧化物和金屬硫化物，其導電性介於導體和絕緣體之間，稱為半導體。

半導體具有一些特殊效能。 例如，半導體的電阻率與溫度的關係可以用來製造熱敏電阻（熱敏電阻）進行自動控制; 其感光性和特殊的圓形挖掘效能可用於製造用於自動控制的光敏元件，如光電管、光電管和光敏電阻等。

半導體還具有最重要的特性之一，如果將微量雜質適當地摻入純半導體物質中，其電導率將提高數百萬倍。 這一特性可用於製造各種用於不同用途的半導體器件，例如半導體二極體、電晶體等。

如果將半導體的一側製成p形區域，將另一側製成n形區域，則在結附近形成具有特殊效能的薄層，通常稱為pn結。 圖的上半部分顯示了p型半導體橙色耐火材料與n型半導體之間介面兩側載流子的擴散情況（用黑色箭頭表示）。 中間部分顯示了p-n結的形成過程，表示載流子的擴散大於漂移（藍色箭頭表示，紅色箭頭表示內建電場的方向）。

下部是PN結的形成。 表示擴散和漂移的動態平衡。

1. 半導體的導電性介於導體和絕緣體之間，矽鍺、硒和大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體 2.常見的半導體包括熱敏電阻（如氧化物如鑽頭、鎳等）、光敏電阻（如硫化物和鉛的硒化）3。在純半導體中摻入微量雜質後，其電導率可以提高數十萬倍甚至數百萬倍。例如，當純矽摻雜百萬分之一的硼時，矽的電阻率大大降低，並利用這一特性製造了二極體、雙極電晶體、場效應電晶體和閘流體等多種半導體器件。 4.本徵半導體是完全純的半導體，具有完整的晶格。

5.在本徵半導體的晶體結構中，原子以共享電子對的形式形成共價鍵結構。 在獲得一定量的能量後，共價鍵中的電子可以脫離原子核，成為自由電子，在共價鍵家族中留下乙個空位，成為乙個空穴。 自由電子和空穴都稱為載流子。

半導體：導體和絕緣體之間具有導電性的物體（如鍺、矽、砷化鎵和許多金屬氧化物）具有半導體的兩種特性：光敏性、熱敏性和摻雜性。

半導體的電導率隨著溫度的公升高而增加，而具有負溫度特性的熱敏電阻的電阻隨著溫度的公升高而降低。

半導體單向導電的意義是什麼？ 為什麼需要它進行單向傳導？

您好，很高興為您解答，二極體的主要特點是單向導電性，即在正向電壓的作用下，導通電阻很小; 然而，在反向電壓的作用下，導通電阻非常大或無限大。 正是因為二極體具有上述特性，所以在電路中經常用來整流，穩壓二極體的穩壓原理：穩壓二極體的特點是電壓反向擊穿後，二極體兩端滑匣簿的純電壓基本不變。

整流二極體反向擊穿後損壞。 這樣，當穩壓管連線到電路上時，如果電源電壓的電壓波動，或者其他原因導致電路中各點的電壓發生變化，則負載兩端的電壓將基本保持不變。 齊納二極體用於調節電壓或用作串聯電路中的參考電壓 整流二極體和齊納二極體都是PN半導體器件。

不同之處在於整流二極體使用單向電導率。 齊納二極體利用了其反向特性。 電路中的反向連線。