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簡而言之,如果錳排列在 3d7 中,這 7 個電子的總能量將大於 7 個電子在“3d5 4s2”時的總能量。 現在的關鍵問題是為什麼錳的最後 2 個電子在 4s 軌道中,這低於 3 個電子佔據的 5d 軌道。
首先,要知道,無論電子是哪一層,它的分布都是在原子所在的整個空間內(因此,“電子雲”這個名字很形象),區別只在於具體的分布。 例如,4S電子,雖然其最常見的球殼層比遠離原子核的3D電子大,但同時,4S電子比3D電子更頻繁地穿透內殼層(這稱為“軌道穿透”,也可以認為3D電子的軌道更接近圓形軌道, 而4S電子的軌道是扁平的橢圓,因此其遠核點較遠,近核點較近),因此4S電子一般較多被原子核吸引,較少被內殼內其他電子向外排斥,因此其能量趨於較低。另乙個因素是“原子固體的極化”,這也是由於4S電子相對靠近原子核,這使得原子真實(原子核和內部電子組成原子固體)更加極化,因此兩者的吸引力也更大,這也降低了能量。
然而,畢竟,“最常出現 4d 電子的球殼層比最常出現 3d 電子的球殼層大”這一事實使 4S 電子能量更高。 綜上所述,前兩點使得4s電子的能量低於3d電子的能量,但後一點則相反,這是一種競爭關係。 為了從非常複雜的計算中推導出哪個因素占上風,有必要特定於原子。
例如,對於鈉的 1 價電子,4s 軌道的能量較低,因此它“穿過”3d 軌道並佔據 4s 軌道。 對於錳的 7 個價電子,情況稍微複雜一些。 對於前 5 個電子,3d 軌道能量較低。
注意,3d軌道有5個分支,5個電子佔據這5個分支,它們之間的距離盡可能由5個“均勻分配”的分支組成,這樣這5個電子之間的排斥對應勢能就更小了。 如果將第 6 和第 7 個電子填充到 3d 軌道中,則必須將它們擠壓到 3d 軌道的 5 個分支之一中,使兩個電子被擠壓到這兩個分支中,並且它們比上述 5 個電子的間距更接近,相應的電勢能大大增加。 這樣,如果第 6 個和第 7 個電子填滿 4s 軌道,它們將遠離 5 個電子並且具有較低的能量。
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樓上的答案似乎感覺不太好,3d5是半滿結構,比較穩定。
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電子通常在最外層,由於共享電子的形成,電子對被移位以顯示電特性,而不是通過電子的增益和損失來帶電。
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從理論上講,錳的電負性很低,也就是說,獲得電子的能力很弱,當很難得到乙個電子時,你怎麼能指望它得到五個電子。
m=9-nmn=(9-n)n=14
所以:9n-n 2=14,排序出來:n 2-9n+14=0n-2)(n-7)=0,則n=2,或n=7推出:當n=2時,m=7,當n=7時,m=2。 >>>More
1.新儲存卡之所以要格式化,主要是因為相機本身格式化後,相機的一些系統資訊就儲存在卡中,不用格式化就可以使用。 基本上,這不是太大的問題,但最好格式化它。 >>>More