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首先,你的問題應該清楚地描述這 4 種物質是作為親電試劑受到攻擊,還是它們受到攻擊並具有親電加成?
如果它被攻擊為親電試劑,那麼答案是錯誤的,這是毫無疑問的。
如果是作為親電加成的加成物件,那麼答案是正確的。 這就是你這個問題的意思。 這個命題也是乙個半懸水:))以明確:)))。
以碳正離子為例,比較的關鍵是碳正離子中間體的穩定性,2-氯-1-丙烯生成的中間碳正離子在2號位,此時感應使C上的電子雲密度降低,穩定性較差,[但氯的共軛增加了C上的電子雲密度(貢獻了一對電子, 豐富的電子共軛體系)],從而增加了穩定性,並且共軛與感應方向[相反];而3-氯-1-丙烯中的氯只誘導電子陽離子碳正離子化,減少電子雲,增加正電荷,降低穩定性,所以2比3更穩定,所以不用說三鹵素的電子吸收誘導誘導碳正離子,碳正離子穩定性較差。 相比之下,2 的碳正離子穩定性較差,因為正如我剛才所說,+i 和 -c 在這裡共存,方向相反,但 +i 更大,所以一般來說,電子被吸收(只是不如電子吸收強),所以 2 的中間體不如 1 穩定。 最終:
如果您還有任何問題,請繼續詢問。
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因為丙烯中的雙鍵富含電子,所以親電試劑更容易與之反應。 鹵素的電負性強,吸收電子的能力強,降低了雙鍵的電子密度。 所以順序是這樣的。
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親電加成活性的比較是親點試劑對鑰匙的冒犯,所以電子雲密度越大,越容易增加親電性。
親電加成反應。
EA),縮寫為親電加成,是由親電試劑(帶正電的基團)攻擊不飽和鍵引起的加成反應。在反應中,不飽和鍵(雙鍵或三鍵)開啟並與另乙個底物形成兩個新鍵。 親電加成中最常見的不飽和化合物是烯烴。
和炔烴。 <>
示例分析新增鹵素
烯烴容易與鹵素發生加成反應,形成相應的鄰二鹵化物。 烯烴、高粱、烴類和溴的四氯氣碳溶液。
混合後發生反應,可使溴的紅褐色褪色,現象明顯。 該反應可被實驗室用於鑑定烯烴。
在與鹵素的加成反應中,氟和烯烴之間的加成反應過於劇烈,會導致碳鏈斷裂。 碘與烯烴的反應非常激烈,因此烯烴與鹵素的反應通常是指與氯或溴的加入。 鹵素-烯烴加成活性的順序為F2>Cl2>Br2>I2.
當乙烯與溴在氯化鈉中混合時。
當反應發生在水溶液中時,主要殘渣中除產生1,2-二溴乙烷外,還有1-氯-2-溴乙烷和2-溴乙醇。
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從大到小的順序:吡咯。
苯和吡啶。 原因:親電取代反應的活性由環上的電子雲決定。
密度確定後,電子雲的密度越大,空穴內親電取代反應的速率越大。
它越大,吡咯是五元環,但電子是6元,苯是六元環,它的電子也是6,所以很容易看出吡咯環上的緻密腐爛比苯環大。
6 5 > 6 6),所以吡咯的活性大於苯。
吡啶環也是六元環,其電子數也是6,與苯環相同(6 6=6 6),但吡啶環上有乙個雜原子n原子,n吸收電子的橙色顫動能力大於c,因此吡啶環上的電子雲密度小於苯(其中一部分被n吸收), 所以吡啶的活性比苯差,吡啶中N的作用就像硝基一樣。
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乙烯“丙烯”二氯乙烯“2-甲基丙烯。
因為親電試劑攻擊雙鍵時,電子雲密度越高越容易進行,鹵素是吸電子原子,原子半徑越小,吸電子能力越強,鹵素原子附著在雙鍵碳上越多,電子雲密度越低,反應性越低。
親電加成反應的反應速率取決於碳-碳不飽和鍵的電子雲密度,電子雲密度越大,反應速率越快。 當乙個電子供體基團附著在烯烴雙鍵的碳原子上時,反應活性會增加,反應速率會加快,反之,當有吸電子基團時,反應速率會減慢。
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主要看電子作用大小、雙鍵連線基團的超共軛效應:
乙烯,氫原子。
乙炔、三鍵、炔烴雖然比烯烴多,但與親電試劑的加成反應比烯烴更難,一般認為,由於三鍵的鍵比雙鍵更難極化,所以不容易使電子與親和試劑結合。 在S和P的雜化軌道中,S軌道的組成越大,鍵長越短,極化越困難,鍵的解離能越大,炔烴的三鍵碳原子是sp雜化,烯烴的碳原子是sp2雜化,所以乙炔的鍵比乙烯的鍵強。
1—丙烯,一種與雙鍵相連的甲基。
1-丁烯,乙基連線的雙鍵。
2-丁烯,兩個甲基。
對於電子作用,兩個甲基大於乙基,大於甲基。
所以親電加成活性:2-丁烯、1-丁烯、丙烯、乙烯、乙炔。
希望它能幫助你o(o
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從大到小的順序:吡咯、苯、吡啶。
原因:親電取代反應的活性是由環上的電子雲密度決定的,電子雲密度越大,親電取代反應速率越大,吡咯是五元環,但電子是6元,苯是六元環,其電子也是6元,所以很容易看出吡咯環上的密度大於苯環上的密度(6 5>6 6),所以吡咯的活性大於苯。
吡啶環也是六元環,其電子數也是6,與苯環相同(6 6=6 6),但吡啶環上有乙個雜原子N原子,N的吸電子能力大於C,因此吡啶環上的電子雲密度小於苯(其中一部分被N吸收), 所以吡啶的活性比苯差,吡啶中N的作用就像硝基一樣。
定位規則。 對於芳香族體系,特別是含苯環的化合物,在進行親電取代反應時,在現有取代基的情況下,新上基的位置具有很強的選擇性,由此選擇性總結的經驗規律稱為定位規律。
局域化規律主要用於**反應的主要產物,其次用於指導選擇合適的合成路線。 例如,間硝基溴苯是由苯合成的。
從苯合成間硝基溴苯時,需要考慮是先考慮溴化還是硝化。 如果先溴化再硝化,則得到鄰硝基溴苯和對硝基溴苯。 如果先硝化後進行溴化反應,則得到間硝基溴苯。
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降序:吡咯苯和吡啶。
原因:親電取代反應的活性由環上的電子雲決定。
密度是確定的,電子雲的密度越大,親電取代反應的速率越高。
較大的吡咯是五元環,但電子是6元,苯是六元環,它的電子也是6元,所以很容易看出吡咯環上的密度大於苯環的密度。
6 5 > 6 6),所以吡咯的活性大於苯。
簡介。 親電取代反應主要發生在芳香族體系或富電子的不飽和碳上,本質上是較強的親電基團攻擊負電子體系,取代較弱的親電基團。 然而,對於芳香族和脂肪體系,由於特定的環境不同,反應過程也不同。
苯環上的取代銀反應(如鹵化、硝化、磺化、傅革蘭反應等)均為親電取代反應過程。 一般認為,在親電取代反應中,首先是親電試劑。
在某些條件下,它被解離成具有親電性的正離子。
e+。然後E+攻擊苯環,苯環的電子迅速形成絡合物。
可以理解為碳正離子),該絡合物仍保留了苯環的結構。
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親電加成反應性從大到小的順序是苯乙酮,丙酮、乙醛、甲醛。
因為親電試劑在攻擊雙鍵時會形成電子雲。
密度越高越容易進行,鹵素是吸電子原子,原子半徑。
吸電子器越小,附著在雙鍵碳上的鹵素原子越多,電子雲密度越低,反應性越低。
親電新增劑的特點
親電加成反應(EA),簡稱親電加成,是由親電試劑的帶正電的基團侵蝕不飽和鍵引起的加成反應。 在反應中,不飽和鍵(雙鍵或三鍵)開啟並與另乙個底物形成兩個新鍵。
親電加成中最常見的不飽和化合物是烯烴。
與炔烴、親電加成有多種機理,包括碳正離子機理、離子對機理、環鎵離子機理、三中心過渡態機理等。
這主要是因為兩個鹵素原子的電負性。
與原子半徑不同,溴的孤電子對傾向於與碳正離子 p 軌道重疊,導致電子雲離域,而氯則不然,對於不對稱親電加成反應,反應腔通常遵循 Marhalanobis 規則。
該產品具有區域選擇性。
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將親電加成活性握把與親點試劑對進行比較鑰匙的冒犯,所以電子雲密度越大,越容易增加親電性。 主要看電子作用大小、雙鍵連線基團的超共軛效應:
鍵弱,電子受核段束縛較少,結構較鬆散,因此作為電子的**,它為其他反應物提供電子。 反應時用作反應底物,與之反應的試劑應為缺電子化合物。
在HBR中新增丙烯:
CH3-CH=CH2+ HBR CH3-CHBR-CH3 第一步,HBR電離生成H和BR離子,氫離子。
作為親電試劑,它首先攻擊c=c雙鍵以形成該樣品的結構。
在第二步中,由於氫氣已經在一側佔據了位置,溴只能從另一側攻擊。 根據馬歇爾規則。
溴與2-碳鍵合,然後氫碰到1-碳的一面,反應完成。
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