電晶體的正向偏置電壓是多少？

溫度 t 上公升 -> 上公升 -> IC= IB，所以 IC 上公升 -> IE 上公升 ->VE 上公升 ->UBE Drop - >IB Drop - > IE Drop - > VE Fall，VE的下跌抵消了VE之前的上漲，因此可以穩定靜態工作點。

那麼，為什麼UBE的下降會導致IB的下降呢？

起初，我想了很久，但後來我發現它與電晶體的特性有關;

從下圖中可以看出，UBE減少了，因此IB也減少了。

起初，我明白我想列出IB和之間的關係，但我發現這與實際結果完全不符。

因為RB2是較低的偏置電阻，VBQ是RB2上的電壓，RB2上的電壓是RB1和RB2串聯後RB2上的電壓，所以VBQ=VG*RB2 RB1+RB2，VG*RB1 RB1+RB2是RB1上的電壓。

在推導“ube =vcc-（ib*rb+（ib+ ib）re）”中，假設它是常數。 但是，電晶體的溫度通常會在變化時公升高，因此上述等式並不能否定先前的溫度穩定過程。

在分析乙個問題時，我們應該注意哪個是原因，哪個是結果。 因果關係是無法逆轉的。

這就是RE的負反饋效應：當溫度為IC IE時，RE兩端的壓降增大，產生IB IC，穩定工作點。

首先，將基極電壓恆定地。

發射結電流的IB分量與發射結兩端的電壓UBE呈正相關。

IE增加，VE上公升，UBE被壓縮，使IB減少，IC減少。

這個問題需要糾結，書中只要求記住，除了UBE下降，其他所有數量都在上公升......

在三極體的基極和發射極上一定的電壓，如果集電極和發射極導通，那麼這個基極電壓（主要是極性）稱為正偏置電壓，這種狀態稱為三極體正偏置，或基極正偏置。

如果在基極和發射極上一定電壓後，集電極和發射極被切斷（不導通），則該基極電壓稱為反向偏置電壓，這種狀態稱為三極體反向偏置，或基極反向偏置。

正向偏置和反向偏置用於 PN 結。 在一般放大電路中，E-B之間的發射結必須正偏置，以保證大部分載流子能夠順利洩漏和擴散，並且C-E之間的集電極結必須反轉，以保證傳輸結擴散到基區的大部分載流子。

它們中的大多數可以以漂移方式快速移動到集電極以形成集電極電流，只有極少數部分與基極區域的少數載流子重新組合以形成小的基極電流。 這樣，電晶體就具有放大效應。

總結。 您好，您發現您指的不是基極偏置電壓。 基極偏置電壓是控制三極體基極電流的重要保證。

由於三極體的基極電流在電晶體的製造中不可能完全相同，因此只能通過調節偏置電壓來實現。 基極電流是保證電晶體放大特性的重要引數，而使電晶體在工作特性的三角形中充分的唯一方法是調整偏置電壓。 那麼為什麼不談談偏置電流呢？

因為不用電壓表示的振幅很大，所以電流的振幅很大。 所以它是用電壓來表示的。

三極體的偏置是什麼意思？

您好，您發現您指的不是基極偏置電壓。 基極偏置電壓是控制三極體基極電流的重要保證。 由於三極體的基極電流在電晶體的製造中不可能完全相同，因此只能通過調節偏置電壓來實現。

基極電流是保證電晶體放大特性的重要引數，而使電晶體在工作特性的三角形中充分的唯一方法是調整偏置電壓。 那麼為什麼不談談偏置電流呢？ 因為不用電壓表示的振幅很大，所以電流的振幅很大。

所以它是用電壓來表示的。

bias 是什麼意思？

偏置是指整個環路中的乙個點，並測量其相對於參考點（總環路電壓的 1 N）的電壓。

1.電晶體偏置電路 固定偏置電路。

如上圖所示，電晶體公共電路中的固定偏置電路：RB的作用是控制電晶體的基極電路，IB稱為偏置電流，RB稱為偏置電流電阻或偏置電阻。 通過更改 RB 的值，可以更改 IB 的大小。

在圖中，RB是固定的，稱為固定偏置電阻。

該電路簡單，使用元件少，但由於電晶體的熱穩定性較差，即使偏置電阻RB固定，當溫度公升高時，電晶體的ICIO急劇增加，使IE也增加，電晶體工作點發生變化。 因此，它是電晶體公共電路中的電壓負反饋偏置電路：電晶體的基極偏置電阻連線到集電極上。

該電路在形式上似乎與固定偏置電路沒有太大區別，但正是這一點自動補償了工作點的漂移。 從圖中可以看出，當溫度公升高時，IC增加，使UCE降低，通過RB，IB必然會降低，IB的降低使IC降低，從而穩定IC，保證UCE基本不變。

該過程，稱為負反饋過程，該電路是分壓電流負反饋偏置電路中的三極體共電路：該電路通過發射極環路連線到電阻Re和基極迴路，以固定電阻R1的基極電位，R2穩定工作點，稱為分壓電流負反饋偏置電路。 以下是對工作點穩定過程的分析。

隨著溫度的公升高，IC隨著ICO的增加而增加。 IE也有所增加。 在這種情況下，發射極電阻Re兩端的壓降UE=ie*re也會增加。

由於基極電位UB是固定的，因此電晶體發射結UBE=UB-UE減小。

該過程類似於負電壓反饋，其目的是穩定工作點。 但是，電路的反饋是UE=IE*RE，它取決於輸出電流，與輸出電壓無關，因此在電路中，上下基極偏置電阻R1和R2的電阻值較小，因此基極電位UB主要由它們的部分電壓值決定。 反饋電阻越大，負反饋越深，穩定性越好。

但是，如果RE過大，在電源電壓保持不變的情況下，會導致UCE下降，影響會被放大，所以。

如果輸入交流訊號，也會導致 RE 上的電壓下降，從而降低放大器的放大，為了避免這種情況，在 RE 的兩端併聯乙個電容器 CE 作為交流旁路。

原理：電晶體需要導通，發射結電壓高於其閾值電壓（矽管周圍），否則輸入訊號低於閾值時將無法通過。 提供閾值電壓的輔助電路是偏置電路。 連線方式很多，電阻分壓器電路是最常用的方法。

我一抄一段就看不懂，但書中有幾個關於模擬電子電路的章節。 我建議你去讀一本書。

在三極體放大器中，EB中的電晶體之間存在結電壓或啟動電壓（矽鍺）。 如果放大器（矽）沒有偏置電路，那麼，如果訊號小於EB之間的輸入，則BE極無法導通，如果BE極不能導通，則沒有IB（IB=0），沒有IB就沒有IC（即如果啟動電壓不夠， 不會有啟動電流），然後放大器處於截止區;

如果輸入的訊號電壓為1V，那麼只有最上面的那個才能產生IB，如果有IB，就有IC，也就是說，放大器輸入端的1V電訊號的輸入只有在高於時才會被放大。

一般放大電路的輸入訊號很小（MV甚至UV電平），這不能使放大器放大輸入訊號，為了使小訊號也能產生IB，就必須要使VEB到達這個電路，分配給VEB=提前是偏置電路，當有偏置電路時，訊號電壓+偏置電壓=VEB實際電壓（由於BE VEB的鉗位作用或;訊號電流 + 偏置電流 = ibe。 這導致訊號浮動在偏置電流上方，無論訊號的電壓幅值和電流幅值有多弱，偏置電流都可以被有效放大

在小訊號A類模擬放大器中，放大器的偏置電流也必須滿足減去輸入訊號的負半波的要求，以避免負半波削波失真

至於偏置電路，主要使用電阻分壓器型別。

我沒有具體計算這個電路的靜態工作點和交流引數，但根據你說的，你在計算靜態工作點的電流IE時沒有考慮電晶體UBE管上的壓降（矽管大約是伏特，鍺管是伏特左右）， 這導致計算出的集電極電流IC很大，因此基極電流IB也很大。同時，由於集電極的IC值相對較大，計算出的三極基極和發射極之間的交流等效電阻值Rbe較小，會影響電路的大電壓增益。 這應該是你計算與答案不同的原因。